Transistor de alta tensão MMBT5551 do amplificador de uso geral do silicone NPN
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 160 V 600 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 350 mW
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Bargain
Método do pagamento:
T/T
Especificações
Descrição:
Transistor bipolares - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
TIPO:
Transistor bipolares - BJT
Nome:
Transistores
Número da peça:
MMBT5551
Pacote:
SOT-23-3
Ordem pequena:
Boa vinda
Destaque:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Introdução
SOT-23 - Transistor de poder e DarliCM GROUPons
Número da peça
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Características elétricas
|
Mfr. # |
MMBT5551 |
| Montando o estilo | SMD/SMT |
| Polaridade do transistor | NPN |
| Configuração | Único |
| Tensão VCEO do emissor do coletor máxima | 160 V |
| Tensão baixa VCBO do coletor | 180 V |
| Tensão baixa VEBO do emissor | 6 V |
| Tensão de saturação do Coletor-emissor | 0,2 V |
| Corrente de coletor máxima da C.C. | 0,6 A |
| Paládio - dissipação de poder | 325 mW |
| Produto fT da largura de banda do ganho | 300 megahertz |
| Temperatura de funcionamento mínima | - 55 C |
| Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
| Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho | 80 em 10 miliampères, 5 V |
| HFE do ganho atual de C.C. máximo | 250 em 10 miliampères, 5 V |
| Tipo de produto | BJTs - transistor bipolares |
Características elétricas (em Ta =°C 25 salvo disposição em contrário)
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