Os ethernet de TS5A12301EYFPR comutam o lev análogo 4 ESD Prot 0.75Ohm SPDT Ana Sw do IEC do interruptor CI de IC
ethernet transceiver ic
,fast ethernet switch chip
Os ethernet de TS5A12301EYFPR comutam o lev análogo 4 ESD Prot 0.75Ohm SPDT Ana Sw do IEC do interruptor CI de IC
Características 1
- Baixa resistência do Em-estado (0,75 Ω)
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Baixa injeção da carga
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Harmonização excelente da resistência do Em-estado
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Isolamento no modo do poder-Para baixo, VCC = 0
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Especificado Ruptura-Antes-faça o interruptor
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2.25-V à fonte de alimentação 5.5-V (VCC)
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O Pulldown entrado 6-MΩ permite que a entrada de controle (DENTRO) seja desligado
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independente compatível do ponto inicial da entrada de controle 1.8-V de VCC
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O desempenho da trava-Acima excede 100 miliampères por JESD 78, classe II
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Desempenho do ESD testado por JESD 22
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– modelo do Humano-corpo 3000-V (A114-B, classe II)
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– modelo do Carregar-dispositivo 1000-V (C101)
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Porto de COM do desempenho do ESD à terra
– modelo do Humano-corpo 8000-V (A114-B, classe II)
2 aplicações
• Telefones celulares
• PDAs
• Instrumentação portátil
• Jogadores MP3
• Reprodutores multimedia portáteis
Descrição 3
O dispositivo de TS5A12301E é um bidirecional, 1 canal, o interruptor análogo do dobro-lance do único-polo (SPDT) que é projetado se operar de 2,25 V a 5,5 V. O dispositivo oferece uma baixa resistência do Em-estado com a resistência excelente do Em-estado do canal-à-canal que combina e ruptura-antes-faça a característica para impedir a distorção do sinal durante a transferência de um sinal de um trajeto a outro.
O dispositivo tem o desempenho total excelente da distorção de harmônico (THD) e consome a baixa potência mesma. Estas características fazem este dispositivo apropriado para aplicações audio portáteis. O pino da entrada de controle (DENTRO) pode ser conectado a GPIOs de baixa voltagem, permitindo que seja controlado pelos sinais 1.8-V.
O TS5A12301E tem a descarga de ±15-kV ar-Gap e o contato de ±8-kV descarrega a proteção do ESD para o porto de COM à terra, que faz complacente com o padrão do ESD do nível 4 do IEC (IEC 61000-4-2).
Informação do dispositivo
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NÚMERO DA PEÇA |
PACOTE |
TAMANHO DE CORPO (NOM) |
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TS5A12301E |
DSBGA (6) |
1,16 milímetros de × 0,76 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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