Anti Hyperfast diodo paralelo 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT
fabricante:
Semi ON / Semi Catalisador
Descrição:
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W através do furo TO-247-3
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
To be negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
PN:
HGTG11N120CND
Tipo:
FSC
Tipo:
Diodo antiparalelo do canal IGBT Hyperfast do NPT N
Atual:
43A
Tensão:
1200V
pacote:
TO-247
Destaque:
IGBT Anti Parallel Hyperfast Diode
,NPT Anti Parallel Hyperfast Diode
,HGTG11N120CND
Introdução
HGTG11N120CND NPT Série N Canal IGBT Diodo Antiparallel Hiperrápido 43A 1200V
Descrição:
O HGTG11N120CND é um projeto IGBT sem punção (NPT).
Este é um novo membro da família MOS gated alta voltagem comutação IGBT.
Os IGBTs combinam as melhores características dos MOSFETs e dos transistores bipolares.
Este dispositivo tem a alta impedância de entrada de um MOSFET e a baixa perda de condução em estado de um transistor bipolar.
O IGBT utilizado é do tipo de desenvolvimento TA49291.
O diodo utilizado é do tipo de desenvolvimento TA49189.
O IGBT é ideal para muitas aplicações de comutação de alta tensão que operam em frequências moderadas
onde são essenciais baixas perdas de condução, tais como: comandos de motores AC e DC, fontes de alimentação e condutores para solenoides,
Relais e contatores, ex-tipo de desenvolvimento TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacidade de SOA de comutação de 1200 V
• Tempo típico de queda. . . . . .340ns a TJ = 150oC
• Classificação de curtocircuito
• Baixa perda de condução
• Modelo SPICE de impedância térmica
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