Tipo de uso geral única configuração do transistor NPN da C.C. 0.15A de 2SD2227STPW 50V
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 50 V 150 miliampère 250MHz 300 mW através do furo SPT
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, COMPROMISSO
Especificações
Polaridade do transistor:
NPN
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
50V
Tensão baixa VCBO do coletor:
60V
Tensão baixa VEBO do emissor:
12V
Corrente Máxima do Coletor DC:
0.15A
Produto fT da largura de banda do ganho:
250 megahertz
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
HFE do ganho atual de C.C. máximo:
1200 em 1 miliampère em 5 V
Destaque:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introdução
2SD2227S NPN PNP Transistores de propósito geral Transistores 50V 0,15A
Transistor de potência média ((25V, 1,2V), transistor de uso geral ((50V, 0,15A)
Características
1) Alto ganho de corrente contínua.
2) Alta tensão de base do emissor (VCBO=12V)
3) Baixa tensão de saturação. (tipo VCE (sat) = 0,3V a IC/IB=50mA/5mA)
| Atributo do produto | Atributo Valor |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Polaridade do transistor: | NPN |
| Configuração: | Solteiro |
| Voltagem do colector-emissor VCEO Max: | 50 V |
| Receptor- Voltagem de base VCBO: | 60 V |
| Emitente-Tensão de Base VEBO: | 12 V |
| Corrente máxima do colector de corrente contínua: | 0.15A |
| Produto de ganho de largura de banda fT: | 250 MHz |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
| Ganho de corrente contínua hFE Max: | 1200 a 1 mA a 5 V |
| Corrente contínua do colector: | 0.15A |
| Pd - Dissipação de energia: | 300 mW |
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