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CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) RAM estática ic placa de circuito pc placa de circuito ic

fabricante:
Fabricante
Descrição:
SRAM - Memória assíncrona IC 256Kbit 70 paralelos ns 28-PDIP
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Temperatura de armazenamento:
. – 65°C a +150°C
Temperatura ambiental com o poder aplicado:
. -55°C a +125°C
Tensão de fonte para moer o potencial:
– 0.5V a +7.0V
Tensão de C.C. aplicada às saídas no estado alto-z [3:
0
A C.C. entrou a tensão [3:
0
Destaque:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introdução

 

 


CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) RAM estática ic placa de circuito pc placa de circuito ic


Características

■ Faixas de temperatura

❐ Comercial: 0°C a 70°C

❐ Industrial: –40°C a 85°C

❐ Automotivo-A: –40°C a 85°C

❐ Automotivo-E: –40°C a 125°C

■ Alta velocidade: 55 ns

■ Faixa de tensão: operação de 4,5 V a 5,5 V

■ Baixa potência ativa

❐ 275 mW (máx.)

■ Baixa energia em espera (versão LL)

❐ 82,5 μW (máx.)

■ Fácil expansão de memória com recursos CE e OE

■ Entradas e saídas compatíveis com TTL

■ Desligamento automático quando desmarcado

■ CMOS para velocidade e potência ideais

■ Disponível em PDIP de 28 pinos (600 mil) livre de Pb e não livre de Pb,

SOIC estreito de 28 pinos (300 mil), TSOP-I de 28 pinos,

e pacotes TSOP-I reverso de 28 pinos

 

Descrição Funcional

O CY62256N[1] é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 32K palavras por 8 bits.A fácil expansão de memória é fornecida por um habilitação de chip LOW ativo (CE) e habilitação de saída LOW ativa (OE) e drivers tristate.Este dispositivo possui um recurso de desligamento automático, reduzindo o consumo de energia em 99,9% quando desmarcado.

 

Um sinal de ativação de gravação (WE) BAIXO ativo controla a operação de gravação/leitura da memória.Quando as entradas CE e WE são ambas LOW, os dados nos oito pinos de entrada/saída de dados (I/O0 a I/O7) são gravados no local da memória endereçado pelo endereço presente nos pinos de endereço (A0 a A14).A leitura do dispositivo é realizada selecionando o dispositivo e habilitando as saídas, CE e OE ativas em LOW, enquanto WE permanece inativa ou em HIGH.Nessas condições, o conteúdo do local endereçado pelas informações nos pinos de endereço está presente nos oito pinos de entrada/saída de dados.

 

Os pinos de entrada/saída permanecem em um estado de alta impedância, a menos que o chip seja selecionado, as saídas estejam habilitadas e a habilitação de gravação (WE) esteja em ALTO.

 

 

 

 

LISTA DE AÇÕES

CA1458E 1380 INTERSIL 15+ MERGULHAR
7MBR50NF060 500 FUJI 16+ MÓDULO
AD517JH 2450 DE ANÚNCIOS 13+ PODE
2N6394 3000 SOBRE 14+ TO-220
2SA1385-Z-E1 3000 NEC 16+ TO-252
ASPC2R/STE2A 1600 SOBRE 16+ QFP100
IRF710 1500 IR 13+ POP
BQ27510DRZR-G2 1560 TI 15+ QFN
IRF840 1500 IR 16+ TO-220
IRF740 1500 IR 16+ POP
ADG783BCPZ 2000 DE ANÚNCIOS 15+ LFCSP
ADM3202ARNZ 2000 DE ANÚNCIOS 15+ SOP-16
1N4448W-7-F 9000 DIODOS 13+ SOD123
IRF7389TR 1500 IR 15+ POP
HA13164AH 3460 BATER 15+ MERGULHAR
IRFR024N 1500 IR 13+ TO-252
HT9302G 2460 HOLTEK 14+ DIP-16
BTA08-600BW 2100 ST 13+ TO-220
2SD1555 3000 TOSHIBA 13+ TO-3P
2SK2996 3000 TOSHIBA 15+ TO-220F
2SK2671 3000 SHINDENGE 15+ TO-220
2SK3451 3000 FUJI 16+ TO-220F
AD574AJD 2450 DE ANÚNCIOS 16+ DIP-28
4N32 3000 FSC 15+ DIP-6
2SC3997 3000 SANYO 15+ TO-3PL
2SC5148 3000 TOSHIBA 16+ TO-3P
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