Chips IC programáveis ​​LMC662CM Amplificador operacional duplo CMOS

Amplificador Operacional Duplo LMC662 CMOS

Descrição geral

O amplificador operacional LMC662 CMOS Dual é ideal para operação a partir de uma única fonte.Ele opera de +5V a +15V e apresenta oscilação de saída rail-to-rail, além de uma faixa de modo comum de entrada que inclui o aterramento.As limitações de desempenho que afetaram os amplificadores CMOS no passado não são um problema com este projeto.VOS de entrada, desvio e ruído de banda larga, bem como ganho de tensão em cargas realistas (2 kΩ e 600Ω) são todos iguais ou melhores do que os equivalentes bipolares amplamente aceitos.

Este chip é construído com o avançado processo CMOS Double-Poly Silicon-Gate da National.Veja o datasheet do LMC660 para um amplificador operacional Quad CMOS com esses mesmos recursos.

Características

• Balanço de saída trilho a trilho
• Especificado para cargas de 2 kΩ e 600Ω
• Ganho de alta tensão: 126 dB
• Baixa tensão de compensação de entrada: 3 mV
• Desvio de tensão de baixo deslocamento: 1,3 µV/˚C

• Corrente de polarização de entrada ultra baixa: 2 fA
• A faixa de modo comum de entrada inclui V⁻
• Faixa de operação de alimentação de +5V a +15V
• ISS = 400 µA/amplificador;independente de V+

• Baixa distorção: 0,01% a 10 kHz
• Taxa de giro: 1,1 V/µs
• Disponível em faixa de temperatura estendida (-40˚C a +125˚C);ideal para aplicações automotivas
• Disponível para uma especificação de desenho militar padrão

Formulários

• Buffer ou pré-amplificador de alta impedância
• Conversor de corrente para tensão de precisão
• Integrador de longo prazo
• Circuito sample-and-hold
• Detector de pico
• instrumentação médica
• controles industriais
• Sensores automotivos

Classificações Máximas Absolutas (Nota 3)

Se forem necessários dispositivos especificados para as Forças Armadas/Aeroespaciais, entre em contato com o Escritório/distribuidores de vendas de semicondutores nacionais para disponibilidade e especificações.

Tensão de entrada diferencial ± Tensão de alimentação

Tensão de alimentação (V⁺− V⁻) 16V

Curto-circuito de saída para V⁺(Nota 12)

Curto-circuito de saída para V⁻(Nota 1)

Temperatura de chumbo (solda, 10 seg.) 260˚C

Temperatura de armazenamentoFaixa de −65˚C a +150˚C

Tensão nos pinos de entrada/saída (V⁺) +0,3V, (V⁻) −0,3V

Corrente no Pino de Saída ±18 mA

Corrente no pino de entrada ± 5 mA

Corrente no pino da fonte de alimentação 35 mA

Dissipação de energia (Nota 2)

Temperatura da junção 150˚C

Tolerância ESD (Nota 8) 1000V

Classificações Operacionais (Nota 3)

Faixa de temperatura

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

Faixa de tensão de alimentação 4,75 V a 15,5 V

Dissipação de energia (Nota 10)

Resistência Térmica (θJA) (Nota 11)

Cerâmica de 8 pinos DIP 100˚C/W

DIP moldado de 8 pinos 101˚C/W

8 pinos SO 165˚C/W

Cerâmica Brasada Lateral de 8 Pinos DIP 100˚C/W

Observação 1: Aplica-se tanto à operação de suprimento único quanto ao de suprimento dividido.A operação contínua de curto-circuito em temperatura ambiente elevada e/ou vários curtos de amplificadores operacionais pode resultar em exceder a temperatura máxima permitida da junção de 150˚C.Correntes de saída superiores a ±30 mA a longo prazo podem afetar adversamente a confiabilidade.

Nota 2: A dissipação de potência máxima é uma função de TJ(max), θJA e TA.A dissipação de potência máxima permitida em qualquer temperatura ambiente é PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Observação 3: As classificações máximas absolutas indicam os limites além dos quais podem ocorrer danos ao dispositivo.As classificações operacionais indicam as condições para as quais o dispositivo deve funcionar, mas não garantem limites de desempenho específicos.Para especificações garantidas e condições de teste, consulte as Características Elétricas.As especificações garantidas aplicam-se apenas às condições de teste listadas.

Nota 4: Os valores típicos representam a norma paramétrica mais provável.Os limites são garantidos por testes ou correlação.

Nota 5: V+ = 15V, VCM = 7,5V e RL conectado a 7,5V.Para testes de fornecimento, 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Para testes de afundamento, 2,5 V ≤ VO ≤ 7,5 V.

Nota 6: V+ = 15V.Conectado como seguidor de tensão com entrada de passo de 10V.O número especificado é o mais lento das taxas de variação positiva e negativa.

Nota 7: Entrada referida.V+ = 15V e RL = 10 kΩ conectado a V+/2.Cada amplificador excitado por sua vez com 1 kHz para produzir VO = 13 VPP.

Nota 8: Modelo de corpo humano, 1,5 kΩ em série com 100 pF.

Nota 9: Uma especificação de teste elétrico RETS militar está disponível mediante solicitação.No momento da impressão, a especificação LMC662AMJ/883 RETS obedecia totalmente aos limites em negrito nesta coluna.O LMC662AMJ/883 também pode ser adquirido com uma especificação de desenho militar padrão.

Nota 10: Para operar em temperaturas elevadas, o dispositivo deve ser reduzido com base na resistência térmica θJA com PD = (TJ–TA)/θJA.

Nota 11: Todos os números se aplicam a pacotes soldados diretamente em uma placa de circuito impresso.

Nota 12: Não conecte a saída a V+ quando V+ for maior que 13V ou a confiabilidade pode ser afetada adversamente

Diagrama de conexão

Oferta de Ações (Venda a Quente)