Circuito integrado Chip Integrated Synthesizer e VCO ADF4360-4BCPZ
circuit board ic
,electronic chip board
Sintetizador integrado e VCO ADF4360-4
CARACTERÍSTICAS
Escala de frequência da saída: 1450 megahertz a 1750 megahertz
Saída Divide-by-2
3,0 fonte de alimentação de V a de 3,6 V
1,8 compatibilidade da lógica de V
Sintetizador do inteiro-n
Prescaler programável 8/9 do duplo-módulo, 16/17, 32/33
Nível potência de saída programável
relação de série do 3-fio
O fechamento análogo e digital detecta
Modo do poder-para baixo do hardware e do software
APLICAÇÕES
Monofones sem fio (DECT, G/M, PCS, DCS, WCDMA)
Equipamento de teste
LANs sem fio
Equipamento de CATV
DESCRIÇÃO GERAL
O ADF4360-4 é um sintetizador inteiramente integrado do inteiro-n e um oscilador tensão-controlado (VCO). O ADF4360-4 é projetado para uma frequência de centro de 1600 megahertz. Além, uma opção divide-by-2 está disponível, por meio de que o usuário obtém uma saída do RF entre de 725 megahertz e de 875 megahertz.
O controle de todos os registros da em-microplaqueta é através de uma relação simples de 3 fios. O dispositivo oper-se-ar com uma fonte de alimentação que varia de 3,0 V a 3,6 V e pud-se-er ser posto para baixo quando não no uso.
DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL
CARACTERÍSTICAS CRONOMETRANDO
AVDD = DVDD = VVCO = ± 10% DE 3,3 V; AGND = DGND = 0 V; 1,8 V e 3 níveis da lógica de V usaram-se; Ta = TMIN a TMAX, salvo disposição em contrário.
| Parâmetro | Limite em TMIN a TMAX (versão de B) | Unidade | Condições de teste/comentários |
|
T1 |
20 |
minuto do ns | Tempo de instalação do LE |
| t2 | 10 | minuto do ns | DADOS PARA CRONOMETRAR o tempo de instalação |
| T3 | 10 | minuto do ns | DADOS PARA CRONOMETRAR o tempo de posse |
| t4 | 25 | minuto do ns | Duração alta do PULSO DE DISPARO |
| t5 | 25 | minuto do ns | Baixa duração do PULSO DE DISPARO |
| t6 | 10 | minuto do ns | PULSO DE DISPARO ao tempo de instalação do LE |
| t7 | 20 | minuto do ns | Largura de pulso do LE |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS Ta = 25°C, salvo disposição em contrário.
| Parâmetro Avaliação |
|
AVDD à terra1 V de −0.3 V a +3,9 AVDD a DVDD V de −0.3 V a +0,3 VVCO à terra V de −0.3 V a +3,9 VVCO a AVDD V de −0.3 V a +0,3 Tensão do I/O de Digitas à terra −0.3 V a VDD + 0,3 V Tensão análoga do I/O à terra −0.3 V a VDD + 0,3 V REFIN à terra −0.3 V a VDD + 0,3 V Variação da temperatura de funcionamento Temperatura de junção máxima 150°C Impedância térmica do θJA de CSP (a pá soldou) 50°C/W (Pá não soldada) 88°C/W Temperatura da ligação, soldando Fase de vapor (segundo 60) 215°C Infravermelho (segundo 15) 220°C |
1 TERRA = AGND = DGND = 0 V.
Os esforços acima daqueles alistados sob avaliações máximas absolutas podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente; a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação de máximo absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo. Este dispositivo é um circuito integrado do RF do elevado desempenho com uma avaliação do ESD de <1 kV="" and="" it="" is="" ESD="" sensitive="">
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