Transistor de poder planares Epitaxial 2SC5707 do silicone de PNP/NPN para o interruptor atual alto
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistor de poder planares Epitaxial 2SC5707 do silicone de PNP/NPN para o interruptor atual alto
Aplicações
• Conversor da C.C./C.C., motoristas do relé, motoristas da lâmpada, motoristas do motor, flash
Características
• Adoção de processos de FBET e de MBIT.
• Grande capacidade atual.
• Baixa tensão de saturação do coletor-à-emissor.
• Interruptor de alta velocidade.
• Dissipação de poder permissível alta.
Especificações (): 2SA2040
Parâmetro | Símbolo | Circunstâncias | Avaliações | Unidade |
Tensão da Coletor-à-base | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
Tensão do Coletor-à-emissor | VCES | -- | (--50) 100 | V |
Tensão do Coletor-à-emissor | VCEO | -- | (--) 50 | V |
Tensão da Emissor-à-base | VEBO | -- | (--) 6 | V |
Corrente de coletor | IC | -- | (--) 8 | |
Corrente de coletor (pulso) | ICP | -- | (--) 11 | |
Corrente baixa | IB | -- | (--) 2 | |
Dissipação do coletor | PC |
-- Tc=25°C |
1,0 15 |
W W |
Temperatura de junção | Tj | -- | 150 | °C |
Temperatura de armazenamento | Tstg | -- | --55 a +150 | °C |
Parâmetro | Símbolo | Circunstâncias | mínimo. | Tipo. | máximo. | unidade |
Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB = (--) 40V, IE =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB = (--) 4V, IC =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
Ganho atual de C.C. | hFE | VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
Produto da Ganho-largura de banda | fT | VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | Megahertz |
Capacidade de saída | Espiga | VCB = (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | PF |
Coletor-à-emissor Tensão de saturação |
VCE (se sentou) 1 VCE (se sentou) 2 |
IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA |
-- -- |
(--230) 160 (--240) 110 |
(--390) 240 (--400) 170 |
milivolt milivolt |
Base--Emitterr À saturação Tensão | VBE (se sentou) | IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
Tensão de divisão da Coletor-à-base | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA, IE =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
Tensão de divisão do Coletor-à-emissor | V (BR) CES | IC = (--) 100µA, RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
Tensão de divisão do Coletor-à-emissor | CEO DE V (BR) | IC = (--) 1mA, =∞ de RBE | (--) 50 | -- | -- | V |
Tensão de divisão da Emissor-à-base | V (BR) EBO | IE = (--) 10µA, IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
Tempo de ligação | tonelada | See especificou o circuito do teste. | -- | (40) 30 | -- | ns |
Tempo de armazenamento | tstg | See especificou o circuito do teste. | -- | (225) 420 | -- | ns |
Tempo de queda | tf | See especificou o circuito do teste. | -- | 25 | -- | ns |
Dimensões do pacote Dimensões do pacote
unidade: milímetro unidade: milímetro
7518-003 7003-003
Circuito de comutação do teste do tempo