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Transistor de poder planares Epitaxial 2SC5707 do silicone de PNP/NPN para o interruptor atual alto

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 50 V 8 uma montagem de superfície TP-FA de 330MHz 1 W
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Corrente de interrupção de coletor:
<>
Corrente da interrupção do emissor:
<>
Ganho atual de C.C.:
200-560
Produto da Ganho-largura de banda:
(290) 330 megahertz
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

Transistor de poder planares Epitaxial 2SC5707 do silicone de PNP/NPN para o interruptor atual alto

Aplicações

• Conversor da C.C./C.C., motoristas do relé, motoristas da lâmpada, motoristas do motor, flash

Características

• Adoção de processos de FBET e de MBIT.

• Grande capacidade atual.

• Baixa tensão de saturação do coletor-à-emissor.

• Interruptor de alta velocidade.

• Dissipação de poder permissível alta.

Especificações (): 2SA2040

Avaliações máximas absolutas em Ta=25°C

Parâmetro Símbolo Circunstâncias Avaliações Unidade
Tensão da Coletor-à-base VCBO -- (--50) 100 V
Tensão do Coletor-à-emissor VCES -- (--50) 100 V
Tensão do Coletor-à-emissor VCEO -- (--) 50 V
Tensão da Emissor-à-base VEBO -- (--) 6 V
Corrente de coletor IC -- (--) 8
Corrente de coletor (pulso) ICP -- (--) 11
Corrente baixa IB -- (--) 2
Dissipação do coletor PC

--

Tc=25°C

1,0

15

W

W

Temperatura de junção Tj -- 150 °C
Temperatura de armazenamento Tstg -- --55 a +150 °C

Características elétricas em Ta=25°C

Parâmetro Símbolo Circunstâncias mínimo. Tipo. máximo. unidade
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB = (--) 40V, IE =0A -- -- (--) 0,1 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB = (--) 4V, IC =0A -- -- (--) 0,1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA 200 -- 560 --
Produto da Ganho-largura de banda fT VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA -- (290) 330 -- Megahertz
Capacidade de saída Espiga VCB = (--) 10V, f=1MHz -- (50) 28 -- PF
Coletor-à-emissor Tensão de saturação

VCE (se sentou) 1

VCE (se sentou) 2

IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA

IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA

--

--

(--230) 160

(--240) 110

(--390) 240

(--400) 170

milivolt

milivolt

Base--Emitterr À saturação Tensão VBE (se sentou) IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA -- (--) 0,83 (--) 1,2 V
Tensão de divisão da Coletor-à-base V (BR) CBO IC = (--) 10µA, IE =0A (--50) 100 -- -- V
Tensão de divisão do Coletor-à-emissor V (BR) CES IC = (--) 100µA, RBE =0Ω (--50) 100 -- -- V
Tensão de divisão do Coletor-à-emissor CEO DE V (BR) IC = (--) 1mA, =∞ de RBE (--) 50 -- -- V
Tensão de divisão da Emissor-à-base V (BR) EBO IE = (--) 10µA, IC =0A (--) 6 -- -- V
Tempo de ligação tonelada See especificou o circuito do teste. -- (40) 30 -- ns
Tempo de armazenamento tstg See especificou o circuito do teste. -- (225) 420 -- ns
Tempo de queda tf See especificou o circuito do teste. -- 25 -- ns

Dimensões do pacote Dimensões do pacote

unidade: milímetro unidade: milímetro

7518-003 7003-003

Circuito de comutação do teste do tempo

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