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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor do mosfet do poder superior do transistor do Mosfet do poder de P4NK60ZFP

Transistor do mosfet do poder superior do transistor do Mosfet do poder de P4NK60ZFP

Transistor do mosfet do poder superior do transistor do Mosfet do poder de P4NK60ZFP
Transistor do mosfet do poder superior do transistor do Mosfet do poder de P4NK60ZFP
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
A isolação suporta a tensão:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MAX191BCWG+ 2338 MÁXIMA 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 MÁXIMA 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 SI 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 SI 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 MÁXIMA 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 MÁXIMA 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 MÁXIMA 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 MÁXIMA 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 MÁXIMA 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 SI 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 MÁXIMA 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 SI 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 MÁXIMA 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 SI 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 SI 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 SI 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 SI 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 MÁXIMA 13+ NA
MAX3311CUB 2302 MÁXIMA 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 MÁXIMA 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 MÁXIMA 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 MÁXIMA 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 MÁXIMA 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 MÁXIMA 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 MÁXIMA 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 MÁXIMA 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 MÁXIMA 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power

■Ω 1,76 TÍPICO do RDS (sobre) =

■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt

■A AVALANCHA 100% TESTOU

■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU

■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS

■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO

DESCRIÇÃO

A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.

APLICAÇÕES

■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE

■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS

■ILUMINAÇÃO

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Símbolo Parâmetro Valor Unidade

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

 STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1
VDS tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) 600 V
VDGR tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tensão de fonte de porta ± 30 V
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 25°C 4 4 (*) 4
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 100°C 2,5 2,5 (*) 2,5
IDM (•?) Corrente do dreno (pulsada) 16 16 (*) 16
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 70 25 70 W
Derating o fator 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) 3000 V
dv/dt (1) Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 4,5 V/ns
VISO A isolação suporta a tensão (a C.C.) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

-55 a 150

-55 a 150

 °C

(•??) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro

(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.

(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada

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