Silicone novo & original NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Coletor-base:
160v
Collector-emitter voltage:
150V
tensão da Emissor-base:
5V
Corrente de coletor:
10A
Base current:
1A
Dissipação de poder do coletor:
100W
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Destaque:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introdução
Silicone NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
DESCRIÇÃO
·Com pacote de TO-3PN
·Complemento para datilografar 2SB1560
·Ganho atual alto de C.C.
APLICAÇÕES
·Áudio, regulador e uso geral
FIXAR
| PIN | DESCRIÇÃO |
| 1 | Base |
| 2 |
Coletor; conectado a montando a base |
| 3 | Emissor |
CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo disposição em contrário
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDADE |
| CEO DE V (BR) | tensão de divisão do Coletor-emissor | IC =30mA; IB =0 | 150 | V | ||
| VCEsat | tensão de saturação do Coletor-emissor | IC =7A; IB =7mA | 2,5 | V | ||
| VBEsat | Tensão de saturação do emissor de base | IC =7A; IB =7mA | 3,0 | V | ||
| ICBO | Corrente de interrupção de coletor | IE =0 DE VCB =160V | 100 | μA | ||
| IEBO | Corrente da interrupção do emissor | VEB =5V; IC =0 | 100 | μA | ||
| hFE | Ganho atual de C.C. | IC =7A; VCE =4V | 5000 | |||
| Espiga | Capacidade de saída | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 95 | PF | ||
| fT | Frequência da transição | IC =2A; VCE =12V | 55 | Megahertz | ||
| Épocas de comutação | ||||||
| tonelada | Tempo de ligação |
IC =7A; RL =10Ω IB1 = - IB2 =7MA VCC =70V |
0,5 | μs | ||
| ts | Tempo de armazenamento | 10,0 | μs | |||
| tf | Tempo de queda | 1,1 | μs | |||
classificações do hFE do
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
ESBOÇO DO PACOTE
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