Transistor de poder do silicone PNP (aplicações) do amplificador de potência 2SA1943
Especificações
Tensão da Coletor-base:
-230 V
Collector-emitter voltage:
-230 V
tensão da Emissor-base:
-5 V
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Destaque:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introdução
Transistor de poder 2SA1943 do silicone PNP
DESCRIÇÃO
·Com pacote de TO-3PL
·Complemento para datilografar 2SC5200
APLICAÇÕES
·Aplicações do amplificador de potência
·Recomendado para a alta fidelidade 100W
fase da saída do amplificador da frequência audio
FIXAR
PIN | DESCRIÇÃO |
1 | Emissor |
2 |
Coletor; conectado a montando a base |
3 | Base |
CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo disposição em contrário
SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDADE |
CEO DE V (BR) | tensão de divisão do Coletor-emissor | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
VCEsat | tensão de saturação do Coletor-emissor | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
VBE | Tensão do emissor de base | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
ICBO | Corrente de interrupção de coletor | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
IEBO | Corrente da interrupção do emissor | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
hFE-1 | Ganho atual de C.C. | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
hFE-2 | Ganho atual de C.C. | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
fT | Frequência da transição | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | Megahertz | ||
ESPIGA | Capacidade de saída do coletor | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | PF |
classificações do hFE-1
R | O |
55-110 | 80-160 |
ESBOÇO DO PACOTE
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