Configuração dos transistor de poder do silicone do MOSFET IRF740PBF do poder única
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDS (v):
400
RDS(on) (Ω):
VGS = 10 V ; 0.55
Qg (máximo) (nC):
9,0
Qgd (nC):
32
Configuration:
Single
Pacote:
TO-220
Destaque:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introdução
CARACTERÍSTICAS
• Avaliação dinâmica de dV/dt
• Avalancha repetitiva avaliada
• Interruptor rápido
• Facilidade da paralelização
• Exigências simples da movimentação
• Ligação (Pb) - disponível livre
DESCRIÇÃO
Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem
desenhista com a melhor combinação de interruptor rápido,
projeto ruggedized do dispositivo, baixa em-resistência e
rentabilidade.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para tudo
aplicações comercial-industriais na dissipação de poder
níveis a aproximadamente 50 W. A baixa resistência térmica
e o baixo custo do pacote do TO-220 contribui ao seu largo
aceitação durante todo a indústria.
°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposição em contrário
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