TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VCBO:
-100 V
VCEO:
VCEO -80 V
VEBO:
-5 V
IC:
-1.5 A
IB:
-0.5 A
Destaque:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introdução
APLICAÇÃO DE USO GERAL.
CARACTERÍSTICAS
·Corrente alta. (Máximo: -1.5A)
·Ganho atual de C.C.: hFE=40Min. @IC=-0.15A
·Complementar a BD139.
AVALIAÇÃO MÁXIMA (Ta=25℃)
| CARACTERÍSTICA | SÍMBOLO | AVALIAÇÃO | UNIDADE |
| Tensão da Coletor-base | VCBO | -100 | V |
| Tensão do Coletor-emissor | VCEO | -80 | V |
| Tensão da Emissor-base | VEBO | -5 | V |
| Corrente de coletor | IC | -1,5 | |
| Corrente baixa | IB | -0,5 |
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