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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET Zener-protegido N-CANAL de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder do mosfet do poder do smd⑩ de P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protegido N-CANAL de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder do mosfet do poder do smd⑩ de P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protegido N-CANAL de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder do mosfet do poder do smd⑩ de P10NK80ZFP
MOSFET Zener-protegido N-CANAL de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder do mosfet do poder do smd⑩ de P10NK80ZFP
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) através do furo TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source Voltage (VGS = 0):
800 V
tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20):
800 V
Tensão de fonte de porta:
± 30 V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
4 KV
Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo:
4,5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução

STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z

O N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegeu o MOSFET de SuperMESH™Power

TIPO VDSS RDS (sobre) Identificação Picowatt

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W

■RDS TÍPICO (sobre) = 0,78 Ω

■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt

■A AVALANCHA 100% TESTOU

■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU

■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS

■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO

DESCRIÇÃO

A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.

APLICAÇÕES

■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE

■FONTES DE ALIMENTAÇÃO DO MODO DO INTERRUPTOR

■CONVERSORES DE DC-AC PARA A SOLDADURA, O UPS E A MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z
VDS tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) 800 V
VDGR tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) 800 V
VGS Tensão de fonte de porta ± 30 V
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 25°C 9 9 (*) 9
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 100°C 6 6 (*) 6
IDM (? •?) Corrente do dreno (pulsada) 36 36 (*) 36
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 160 40 160 W
Derating o fator 1,28 0,32 1,28 W/°C
VESD (G-S) Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) 4 Quilovolt
dv/dt (1) Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 4,5 V/ns
VISO A isolação suporta a tensão (a C.C.) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

(? •?) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro

(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.

(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
BD82Q57 SLGZW 423 INTEL 10+ BGA
X28HC64P-12 2500 XICOR 13+ DIP-28
8909000938* 1024 BOSCH 14+ QFP
8905507184* 1013 BOSCH 15+ QFP
M48T08-150PC1 3594 ST 14+ MERGULHO
LM318N 4965 NSC 14+ DIP-8
NTD2955-1G 4500 EM 14+ TO-251
PCF7936AS 2700 14+ ÉBRIO
LPV358MX 6254 14+ SOP-8
XC5VSX50T-1FFG665I 178 XILINX 10+ BGA
PCF7935AS 2780 16+ ÉBRIO
LTC4413EDD#TRPBF 6259 LINEAR 10+ QFN
LPC1114FBD48/302 2731 15+ QFP
NC7SZ175P6X 38000 FAIRCHILD 16+ SC70-6
LM340T-12 10000 NSC 15+ TO-220
MAX6301CSA+T 4137 MÁXIMA 16+ CONCESSÃO
MAX3232ECAE+T 11300 MÁXIMA 16+ SSOP
XR2206CP 4000 EXAR 14+ DIP-16
OPA544T 7920 SI 14+ TO-220
PCA9517DR 12120 SI 14+ CONCESSÃO
MC1455P1G 8399 EM 15+ MERGULHO

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