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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > N-CANAL MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de STP20NM50FP? MOSFET do poder

N-CANAL MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de STP20NM50FP? MOSFET do poder

N-CANAL MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de STP20NM50FP? MOSFET do poder
N-CANAL MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de STP20NM50FP? MOSFET do poder
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Gate-Source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Operating Junction Temperature:
-65 to 150 °C
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Thermal Resistance Junction-amb Max:
62.5 °C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose:
300 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução


STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP

N-CANAL 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - ² PAK do ² PAK-I de TO220/FP-D
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™

Características gerais

Tipo VDSS (@Tj máximo) RDS (sobre) Identificação

STB20NM50

STB20NM50-1

STP20NM50

STP20NM50FP

550 V

550 V

550 V

550 V

<0>

<0>

<0>

<0>

20 A

20 A

20 A

20 A

■CAPACIDADES ALTAS de dv/dt E de AVALANCHA
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■BAIXA CARGA ENTRADA DA CAPACIDADE E DA PORTA
■BAIXA RESISTÊNCIA ENTRADA DE PORTA

Descrição
O MDmesh™ é uma tecnologia revolucionária nova do MOSFET que associe o processo múltiplo do dreno com a disposição do PowerMESH™horizontal da empresa. O produto resultante tem uma baixa em-resistência proeminente, um dv/dt impressionantemente alto e uns desempenhos excelentes do característica da avalancha e os dinâmicos.

Aplicações
A família de MDmesh™ é muito apropriada para a densidade de poder crescente de conversores de alta tensão permitindo eficiências do andhiher da miniaturização do sistema.

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
² PAK DO ² PAK/I DE TO-220/D TO-220FP
VGS Tensão da Porta-fonte ± 30 V
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 25°C 20 20 (nota 3)
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 100°C 12,6 12,6 (nota 3)
Nota 2 de IDM Corrente do dreno (pulsada) 80 80 (nota 3)
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 192 45 W
Derating o fator 1,2 0,36 W/°C
nota 1 de dv/dt Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 15 V/ns
VISO A isolação suporta Volatge (a C.C.) - 2000 V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

 -65 a 150 °C


Pacote


Diagrama esquemático interno



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
LM4652TF 1435 NSC 13+ ZIP-15
PIC24FJ64GB106-I/PT 4118 MICROCHIP 16+ TQFP
LM4651N 1543 NSC 14+ DIP-28
PC3H711NIP 30000 AFIADO 16+ CONCESSÃO
PC3Q67QJ000F 11500 AFIADO 16+ CONCESSÃO
MC68302PV16C 3628 MOT 10+ QFP
LMH0356SQE 437 SI 15+ WQFN-48
LMH0036SQE 1226 NSC 12+ LLP
CY7B1399B-15VC 500 CYPRESS 01+ SOJ
MAX3232EEUE+T 11450 MÁXIMA 16+ TSSOP
PIC18F66K22-I/PT 4308 MICROCHIP 14+ QFP
PESD5V0S1BA 25000 16+ GRAMA
NUP5150MUTBG 5340 EM 16+ QFN
CS4954-CQZR 2476 CIRRO 10+ TQFP-48
MIC2951-02YM 6460 MICREL 11+ CONCESSÃO
MUR1620CTG 10000 EM 16+ TO-220
MKL25Z128VLK4 1070 FREESCALE 14+ LQFP
BD82H61 SLJ4B 340 INTEL 13+ BGA
MBR0540T1G 20000 EM 15+ SOD-123
SAP16PO 300 SANKEN 06+ TO-3P
M48T02-120PC1 3607 ST 15+ MERGULHO




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