PROCESSADORES de SINAL novos & originais TMS320C50PQ80 de DIGITAL da microplaqueta do circuito integrado
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
? PROCESSADORES DE SINAL DE DIGITAL
processador central de 16 bits *Powerful de TMS320C5x?
Único-ciclo de *20-, de 25-, de 35-, e de 50 ns
Tempo de execução de instrução para a operação 5-V?
instrução do Único-ciclo de *25-, de 40-, e de 50 ns
Tempo de execução para a operação 3-V?
o × do *Single-Cycle 16 de 16 bits multiplica/adiciona?
máximo de 16 bits do × de *224K endereçável
Espaço de memória externo (64K programa, 64K
Dados, I/O 64K, e 32K global)?
*2K, 4K, 8K, 16K, Único-acesso de 16 bits do × 32K
ROM do programa da Em-microplaqueta?
*1K, 3K, 6K, Único-acesso de 16 bits do × 9K
Programa da Em-microplaqueta/dados RAM (SARAM)?
Programa/dados da Em-microplaqueta do Duplo-acesso de *1K
RAM (DARAM)?
* completo - porta de série síncrono frente e verso para
Relação do codificador/decodificador?
Porta de série (TDM) *Time-Division-Multiplexed?
capacidade da geração do Espera-estado do *Hardware ou do software?
Temporizador do *On-Chip para operações de controle?
Instruções do *Repeat para o uso eficiente do espaço do programa?
Porta de série *Buffered?
Relação portuária do *Host?
Laço Fase-fechado do *Multiple (PLL)
Opções cronometrando (×1, ×2, ×3, ×4, ×5, ×9 segundo o dispositivo)?
O *Block move-se para a gestão dos dados/programa?
Lógica Varredura-baseada *On-Chip da emulation?
Varredura *Boundary?
Opções de empacotamento *Five
– pacote liso do quadrilátero 100-Pin (sufixo do PJ)
– pacote liso do quadrilátero 100-Pin fino (sufixo de PZ)
– pacote liso do quadrilátero 128-Pin fino (sufixo de PBK)
– pacote liso do quadrilátero 132-Pin (sufixo de PQ)
– pacote liso do quadrilátero 144-Pin fino (sufixo de PGE)?
O *Low põe modos da dissipação e do poder-Para baixo:
– 47 miliampères (2,35 mA/MIP) em 5 V, pulso de disparo 40-MHz (média)
– 23 miliampères (1,15 mA/MIP) em 3 V, pulso de disparo 40-MHz (média)
– 10 miliampères em 5 V, pulso de disparo 40-MHz (modo IDLE1)
– 3 miliampères em 5 V, pulso de disparo 40-MHz (modo IDLE2)
– 5 µA em 5 V, pulsos de disparo fora de (modo IDLE2)?
Tecnologia estática do CMOS do *High-Performance?
Porto do Teste-acesso do † do padrão 1149,1 de *IEEE (JTAG)
descrição
A geração de TMS320C5x dos processadores de sinal TMS320 digital de Texas Instruments (TITM) (DSPs) é fabricada com tecnologia estática do circuito integrado do CMOS; a concepção arquitetónica é baseada naquela de um SI mais adiantado DSP, o TMS320C25. A combinação de arquitetura avançada de Harvard, de periféricos da em-microplaqueta, de memória da em-microplaqueta, e de um grupo de instrução altamente especializado é a base da flexibilidade e da velocidade operacionais ‘dos dispositivos do ‡ de C5x. Executam até 50 milhão por segundo das instruções (MIPS).
‘Os dispositivos de C5x oferecem estas vantagens: ?
- Concepção arquitetónica TMS320 aumentada para o desempenho e a versatilidade aumentados?
- Concepção arquitetónica modular para o desenvolvimento rápido de dispositivos do derivado?
- Tecnologia de processamento avançada do circuito integrado para o desempenho aumentado?
- código fonte Para cima-compatível (o código fonte para ‘C1x e’ C2x DSPs é para cima - compatível com ‘o C5x DSPs.)?
- Grupo de instrução TMS320 aumentado para algoritmos mais rápidos e para a operação aperfeiçoada da língua de nível elevado
- ? Técnicas novas do estático-projeto para minimizar o consumo de potência e maximizar a tolerância de radiação
TMS320C50, TMS320LC50, TMS320C51, TMS320LC51, TMS320C53, TMS320LC53
PACOTE DE PQ
(VISTA SUPERIOR)
avaliações máximas absolutas sobre a variação da temperatura de funcionamento do ambiental-ar (salvo disposição em contrário) (‘320C5x único) †
Escala da tensão de fonte, VDD (veja a nota 3)………………………………. – 0,3 V a 7 V
Escala de tensão entrada, VI……………………………………………. – 0,3 V a 7 V
Escala da tensão da saída, Vo…………………………………………. – 0,3 V a 7 V
Variação da temperatura ambiental de funcionamento, Ta……………………………… – 40°C a 85°C
Temperatura de caso de funcionamento, TC……………………………………… 0°C a 85°C
Variação da temperatura do armazenamento, Tstg…………………………………… – 55°C a 150°C
O † força além daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” pode causar dano permanente ao dispositivo. Estas são avaliações do esforço somente, e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições além daqueles indicados sob “condições operacionais recomendadas” não é implicada. A exposição às condições absoluto-máximo-avaliados por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.
NOTA 3: Todos os valores da tensão são no que diz respeito ao VSS.
condições operacionais recomendadas (‘320C5x únicos)
MINUTO NOM Max | UNIDADE | ||
Tensão de fonte de VDD | 4,75 5 5,25 | V | |
Tensão de fonte do VSS | 0 | V | |
Tensão de entrada de nível elevado de VIH | X2/CLKIN, CLKIN2 | 3 VDD+0.3 | V |
CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | 2,5 VDD+0.3 | V | |
Todas entradas restantes | 2 VDD+0.3 | V | |
Tensão de entrada de baixo nível de VIL | X2/CLKIN, CLKIN2, CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | – 0,3 0,7 | V |
Todas entradas restantes | – 0,3 0,8 | V | |
Corrente de saída de nível elevado de IOH (veja a nota 4) | – 300 ‡ | µA | |
Corrente de saída de baixo nível de IOL | 2 | miliampère | |
Temperatura de caso de funcionamento do TC | 0 85 | °C | |
Ta que opera a temperatura ambiental | – 40 85 | °C |
O ‡ este IOH pode ser excedido ao usar um 1 resistor do pulldown do kΩ na saída da porta de série TADD de TDM; contudo, esta saída ainda encontra especificações de VOH sob estas condições.
NOTA 4: Figura 9 mostra o circuito da carga do teste e a figura 10 e a figura 11 mostra os níveis de referência da tensão.