MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C IC eletrônico Chips NAND Flash Memory

32Gb, 64Gb, NAND Features assíncrono/síncrono de 128Gb

NAND Flash Memory

MT29F32G08CBACA, MT29F64G08CEACA, MT29F64G08CFACA, MT29F128G08CXACA, MT29F64G08CECCB

Características

• NAND Flash Interface aberto (ONFI) 2,2¹ complacentes

• tecnologia da pilha do Múltiplo-nível (MLC)

• Organização

– Tamanho de página x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes)

– Tamanho de bloco: 256 páginas (bytes 1024K + 56K)

– Tamanho plano: 2 blocos dos planos x 2048 pelo plano

– Tamanho do dispositivo: 32Gb: 4096 blocos; 64Gb: 8192 blocos; 128Gb: 16.384 blocos

• Desempenho síncrono do I/O

– Até modo cronometrando síncrono 5

– Taxa de pulso de disparo: 10ns (RDA)

– Taxa de transferência de leitura/gravação pelo pino: 200 MT/s

• Desempenho assíncrono do I/O

– Até modo cronometrando assíncrono 5

– ^tRC/tWC: 20ns (MINUTO)

• Desempenho da disposição

– Página lida: 50µs (MAX)

– Página do programa: 1300µs (TIPO)

– Apague o bloco: 3ms (TIPO)

• Escala da tensão de funcionamento

– VCC: 2.7-3.6V

– VCCQ: 1.7-1.95V, 2.7-3.6V

• Grupo do comando: ONFI NAND Flash Protocol

• Grupo avançado do comando

– Esconderijo do programa

– Esconderijo lido sequencial

– Esconderijo lido aleatório

– Único modo (OTP) programável

– comandos do Multi-plano

– Multi-LUN operações

– Leia a identificação original

– Copyback

• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado da fábrica.

Para a CCE exigida mínima, veja a gestão do erro (página 101).

• A RESTAURAÇÃO (FFh) exigiu como o primeiro comando após o poweron

• O byte de estado da operação fornece o método do software detectando

– Conclusão da operação

– Condição da passagem/falha

– Escrever-proteja o estado

• Os sinais do estroboscópio dos dados (DQS) fornecem um método do hardware sincronizando os dados DQ na relação síncrono

• As operações de Copyback apoiaram dentro do plano de que os dados são lidos

• Qualidade e confiança

– Retenção dos dados: 10 anos

– Resistência: 3000 ciclos de PROGRAM/ERASE

• Temperatura de funcionamento:

– Anúncio publicitário: 0°C a +70°C

– Industrial (a TI): – 40ºC a +85ºC

• Pacote

– 52 almofada LGA

– 48 pino TSOP

– 100 bola BGA

Nota: 1. A especificação de ONFI 2,2 está disponível em www.onfi.org.

Descrição geral

Os dispositivos de NAND Flash do mícron incluem uma relação assíncrona dos dados para operações de capacidade elevada do I/O. Estes dispositivos usam um ônibus de 8 bits altamente multiplexado (DQx) para transferir comandos, endereço, e dados. Há cinco sinais de controle usados para executar a relação assíncrona dos dados: CE#, CLE, CERVEJA INGLESA, WE#, e RE#. Os sinais adicionais controlam o hardware escrevem a proteção (WP#) e monitoram o estado de dispositivo (R/B#).

Este dispositivo de NAND Flash do mícron inclui adicionalmente uma relação síncrono dos dados para operações de capacidade elevada do I/O. Quando a relação síncrono é ativa, WE# transforma-se CLK e RE# transforma-se W/R#. Transferências de dados incluem um estroboscópio bidirecional dos dados (DQS).

Esta relação de hardware cria um baixo dispositivo da pino-contagem com um pinout padrão que permaneça o mesmo de uma densidade a outra, permitindo elevações do futuro a umas densidades mais altas sem a placa remodela.

Um alvo é a unidade de memória alcançada por uma microplaqueta permite o sinal. Um alvo contém uns ou vários NAND Flash morre. NAND Flash morre é a unidade mínima que pode independentemente executar comandos e estado do relatório. NAND Flash morre, na especificação de ONFI, é referido como uma unidade lógica (LUN). Para uns detalhes mais adicionais, veja a organização do dispositivo e da disposição.

Avaliações máximas absolutas pelo dispositivo

Nota: 1. tensão em algum pino relativo ao VSS.

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