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microplaquetas eletrônicas do CI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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PDZ3.3B,115 Diodo de Alta Tensão Novo e Original |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 3,3 V 400 mW ±2% de Zener
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Nexperia
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PMLL4448,135 Diodo de alta potência novo e original |
Montagem de superfície LLDS do diodo 75 V 200mA; MiniMelf
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Nexperia
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BAW56S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 2 pares de ânodo comum 90 V 250 mA (DC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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BC807,215 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 80MHz montagem de superfície TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCP52-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 50MHz 1,4 W
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STMicroelectronics
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BCP54-16E6433 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 2 W
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Infineon
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BCP54-16-TP PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 1 um 100MHz montagem de superfície SOT-223 de 300 mW
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Fabricante
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BCP5416TA EXPÓRIO NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-223-3 de 150MHz 2 W
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DIODOS
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VS-ETH1506-M3 Transistor de Efeito de Campo de Portão Isolado Novo e Original |
Diodo 600 V 15A através do furo TO-220AC
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VISHAY
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10CTQ150 VISHAY Transistores Mosfet de Alta Potência Nova Certificação ROHS Original |
Disposição do diodo cátodo comum 150 V 5A de 1 par através do furo TO-220-3
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VISHAY
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ROHS Transistor de Efeito de Campo Padrão IRLR024NTRPBF Logotipo personalizado |
Montagem D-Pak da superfície 45W do N-canal 55 V 17A (Tc) (Tc)
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Infineon
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Transistor de efeito de campo de precisão homologado ROHS SIHW30N60E-GE3 |
N-canal 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) através do furo TO-247AD
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VISHAY
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BAT54A EXPORTO NUEVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície comum TO-236-3 do ânodo 30 V 200mA de 1 par, SC-59, SOT-2
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Fairchild
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BAT54C PORTO NUEVO E ORIGINÁRIO |
Disposição do diodo montagem de superfície comum TO-236-3 do cátodo 30 V 200mA de 1 par, SC-59, SOT-
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Semicondutor Good-Ark
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BAT54S PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Disposição do diodo montagem de superfície TO-236-3 da conexão de série 30 V de 1 par 200mA, SC-59,
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Semicondutor Good-Ark
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BAT54SW EXPORTO NUEVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície SC-70 da conexão de série 30 V de 1 par 200mA, SOT-323
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Semicondutor de Diotec
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BAT54SW EXPORTO NUEVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem SC-70 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.), SOT
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BAT54W PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Montagem de superfície SOT-323 do diodo 30 V 200mA
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Semicondutor de Diotec
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BAT54W PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Montagem de superfície SOT-323 do diodo 30 V 200mA
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BAT721C,215 PÓSICOS NUEVOS E ORIGINÁRIOS |
Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 40 V 200mA de 1 par (C.C.), SC-5
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Nexperia
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BAT721S,215 PORTAS NOVAS E ORIGINALES |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 40 V de 1 par 200mA (C.C.),
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NXP
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BAT721S_R1_00001 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁLIS |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 40 V de 1 par 200mA (C.C.),
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Fabricante
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BAT721S,215 Transistor de efeito de campo |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 40 V de 1 par 200mA (C.C.),
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Nexperia
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BAT74,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
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Nexperia
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BAT74,235 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem TO-253-4 da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), TO-253AA
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
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NXP
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BAT74S/S500X Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície TO-253-4 da disposição 30 V do diodo, TO-253AA
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
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Nexperia
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BAT74S,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 2 do diodo (C.C.), SC-88, SO
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Nexperia
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BAT 754S,215 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.),
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Nexperia
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BAT 754L,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem 6-TSSOP da superfície do independente 30 V 200mA da disposição 3 do diodo (C.C.), SC-88, SO
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Nexperia
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BAT760Z Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 20 V 1A
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Nexperia
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BAT760Q-7 Transistor de efeito de campo |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 30 V 1A
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DIODOS
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BAT 760,115 Transistor de efeito de campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 20 V 1A
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Nexperia
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BAV102 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície SOD-80 do diodo 150 V 200mA
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Semi ON / Semi Catalisador
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BAV170 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 85 V 125mA de 1 par (C.C.), SC-5
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DIODOS
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BAV170 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 85 V 125mA de 1 par (C.C.), SC-5
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Nexperia
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Transistor de Efeito de Campo BAV20 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 200 V 200mA através do furo DO-35
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Semi ON / Semi Catalisador
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Transistor de Efeito de Campo BAV20 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 150 V 200mA através do furo DO-35
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DIODOS
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Transistor de Efeito de Campo BAV21 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 200 V 200mA através do furo DO-35
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Semicondutor de Diotec
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Transistor de Efeito de Campo BAV20 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 150 V 250mA Através do Orifício DO-35
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Semicondutor de Diotec
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Transistor de Efeito de Campo BAV21 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 250 V 200mA através do furo DO-35
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Semi ON / Semi Catalisador
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BC846B Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC846BW Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Semicondutor de Diotec
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BAT54CW PÓSICOS NOVOS E ORIGINALES |
Disposição do diodo montagem de superfície comum SC-70 do cátodo 30 V 200mA de 1 par, SOT-323
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Semicondutor de Diotec
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GRM1555C1H390JA01D condensador MLCC NOVO E ORIGINAL |
39 capacitor cerâmico do PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (métrica 1005)
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Murata
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GRM1555C1H471GA01D condensador MLCC NOVO E ORIGINAL |
470 capacitor cerâmico do PF ±2% 50V C0G, NP0 0402 (métrica 1005)
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Murata
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GRM1555C1H470JA01D Capacitor MLCC NOVO E ORIGINAL |
47 capacitor cerâmico do PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (métrica 1005)
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Murata
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GRM1555C1H431JA01D Capacitor MLCC NOVO E ORIGINAL |
430 capacitor cerâmico do PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (métrica 1005)
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Murata
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GRM1555C1H430JA01D condensador MLCC NOVO E ORIGINAL |
43 capacitor cerâmico do PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (métrica 1005)
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Murata
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