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TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem DPAK da superfície 70W do N-canal 600 V 4A (Tc) (Tc)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
tensão da Dreno-fonte (VGS = 0):
600 V
tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20):
600 V
Tensão de fonte de porta:
± 30 V
Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
3000 V
Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo:
4,5 V/ns
Temperatura de junção de funcionamento:
°C -55 a 150
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução


STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CANAL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHTMPower

■Ω 1,76 TÍPICO do RDS (sobre) =
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO

DESCRIÇÃO
A série de SuperMESHTM é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESHTM do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmeshTM.

APLICAÇÕES
CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS
■ILUMINAÇÃO

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

SímboloParâmetroValorUnidade
STP4NK60Z STB4NK60ZSTP4NK60ZFPSTD4NK60Z STD4NK60Z-1
VDStensão da Dreno-fonte (VGS = 0)600V
VDGRtensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20)600V
VGSTensão de fonte de porta± 30V
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 25°C44 (*)4
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 100°C2,52,5 (*)2,5
IDM (l)Corrente do dreno (pulsada)1616 (*)16
PTOTDissipação total em TC = 25°C702570W
Derating o fator0,560,20,56W/°C
VESD (G-S)Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)3000V
dv/dt (1)Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo4,5V/ns
VISOA isolação suporta a tensão (a C.C.)-2500-V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

(l) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
LMV931MG3299NSC15+SC70-5
MC33887VM3328MC16+HSOP
OPA277PA7240SI15+MERGULHO
LT1114S14#TR5182LT10+SOP-14
MC44BS373CADR23544FREESCALE10+CONCESSÃO
MAX5024LASA+14550MÁXIMA16+CONCESSÃO
LNBH23LQTR1272ST14+QFN-32
88E6185-A2-LKJ1C0001211MARVELL15+QFP
LM348MX6789NSC13+SOP-14
AZ1084CD-ADJTRG11500BCD13+TO-252
LP3990MFX-3.34682NSC15+SOT-23-5
PIC16F616T-I/ML5163MICROCHIP16+QFN
AAT4280IGU-1-T14000ANALOGIC15+SOT23
PAM3116BLBADJR10800PAM16+CONCESSÃO
L1117LG10000NIKOS15+SOT-223
MMBFJ310LT1G10000EM16+SOT-23
LMV824MX/NOPB4163NSC14+SOP-14
MAX-7Q-0-0007492MÁXIMA14+GPS
LM2907MX-81000NSC14+SOP-8
OM8744HN574016+QFN
PIC16F1939-I/PT5223MICROCHIP16+QFP




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