TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
power mosfet ic
,multi emitter transistor
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CANAL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHTMPower
■Ω 1,76 TÍPICO do RDS (sobre) =
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO
DESCRIÇÃO
A série de SuperMESHTM é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESHTM do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmeshTM.
APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS
■ILUMINAÇÃO
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
VDS | tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) | 600 | V | ||
VDGR | tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
VGS | Tensão de fonte de porta | ± 30 | V | ||
Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
IDM (l) | Corrente do dreno (pulsada) | 16 | 16 (*) | 16 | |
PTOT | Dissipação total em TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
Derating o fator | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
VESD (G-S) | Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
dv/dt (1) | Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo | 4,5 | V/ns | ||
VISO | A isolação suporta a tensão (a C.C.) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de junção de funcionamento Temperatura de armazenamento | -55 a 150 -55 a 150 | °C °C |
(l) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
LMV931MG | 3299 | NSC | 15+ | SC70-5 |
MC33887VM | 3328 | MC | 16+ | HSOP |
OPA277PA | 7240 | SI | 15+ | MERGULHO |
LT1114S14#TR | 5182 | LT | 10+ | SOP-14 |
MC44BS373CADR2 | 3544 | FREESCALE | 10+ | CONCESSÃO |
MAX5024LASA+ | 14550 | MÁXIMA | 16+ | CONCESSÃO |
LNBH23LQTR | 1272 | ST | 14+ | QFN-32 |
88E6185-A2-LKJ1C000 | 1211 | MARVELL | 15+ | QFP |
LM348MX | 6789 | NSC | 13+ | SOP-14 |
AZ1084CD-ADJTRG1 | 1500 | BCD | 13+ | TO-252 |
LP3990MFX-3.3 | 4682 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
PIC16F616T-I/ML | 5163 | MICROCHIP | 16+ | QFN |
AAT4280IGU-1-T1 | 4000 | ANALOGIC | 15+ | SOT23 |
PAM3116BLBADJR | 10800 | PAM | 16+ | CONCESSÃO |
L1117LG | 10000 | NIKOS | 15+ | SOT-223 |
MMBFJ310LT1G | 10000 | EM | 16+ | SOT-23 |
LMV824MX/NOPB | 4163 | NSC | 14+ | SOP-14 |
MAX-7Q-0-000 | 7492 | MÁXIMA | 14+ | GPS |
LM2907MX-8 | 1000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
OM8744HN | 5740 | 16+ | QFN | |
PIC16F1939-I/PT | 5223 | MICROCHIP | 16+ | QFP |

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
