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Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Material:
Plastic Package
Collector−Base Voltage:
60
ESD Ratings:
Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V
Epoxy Meets:
UL 94 V−0 @ 0.125 in
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone

Os transistor de poder complementares plásticos do silicone de DarliCM GROUPon são projetados para o amplificador de uso geral e aplicações de comutação low−speed.

• Ganho atual alto de C.C. — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 CAD

• Tensão de sustentação do Coletor-emissor — @ mAdc 100

VCEO (sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC

(Minuto) — 2N6036, 2N6039

• Capacidade atual polarizada da segunda divisão IS/b = 1,5 CAD @ 25 VDC

• Construção monolítica com os resistores incorporados do emissor de base à multiplicação de LimitELeakage

• Pacote plástico alto da relação TO-225AA do Desempenho-à-custo da Espaço-economia

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação Símbolo Valor Unidade

Tensão 2N6034 de Collector−Emitter

2N6035, 2N6038

2N6036, 2N6039

VCEO

40

60

80

VDC

Tensão 2N6034 de Collector−Base

2N6035, 2N6038

2N6036, 2N6039

VCBO

40

60

80

VDC
Tensão de Emitter−Base VEBO 5,0 VDC

Corrente de coletor Contínuo

Pico

IC

4,0

8,0

CAD

Apk

Corrente baixa IB 100 mAdc

Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C

Derate acima de 25°C

Paládio

40

320

W

mW/°C

Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C

Derate acima de 25°C

Paládio

1,5

12

W

mW/°C

Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg – 65 a +150 °C

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Característica Símbolo Máximo Unidade
Resistência térmica, Junction−to−Case RJC 3,12 °C/W
Resistência térmica, Junction−to−Ambient RJA 83,3 °C/W

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25C salvo disposição em contrário)

Característica Símbolo Minuto Máximo Unidade
FORA DAS CARACTERÍSTICAS

Tensão de sustentação de Collector−Emitter

(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039

VCEO (sus)

40

60

80

--

--

--

VDC

Corrente de Collector−Cutoff

(VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034

(VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039

ICEO

--

--

--

100

100

100

A

Corrente de Collector−Cutoff

(VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6034

(VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039

(VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034

(VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039

ICEX

--

--

--

--

--

--

100

100

100

500

500

500

A

Corrente de Collector−Cutoff

(VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034

(VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038

(VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039

ICBO

--

--

--

0,5

0,5

0,5

mAdc
Corrente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) IEBO -- 2,0 mAdc
EM CARACTERÍSTICAS

Ganho atual de C.C.

(IC = 0,5 CAD, VCE = 3,0 VDC)

(IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC)

(IC = 4,0 CAD, VCE = 3,0 VDC)

hFE

500

750

100

--

15.000

--

--

Tensão de saturação de Collector−Emitter

(IC = 2,0 CAD, IB = mAdc 8,0)

(IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40)

VCE (se sentou)

--

--

2,0

3,0

VDC

Tensão de saturação de Base−Emitter

(IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40)

VBE (se sentou) -- 4,0 VDC

Base−Emitter na tensão

(IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC)

VBE (sobre) -- 2,8 VDC
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS

Small−Signal Current−Gain

(IC = 0,75 CAD, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megahertz)

|hfe| 25 -- --

Capacidade de saída

(VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039

Espiga

--

--

200

100

PF

Os *Indicates JEDEC registraram dados.

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