Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone
Os transistor de poder complementares plásticos do silicone de DarliCM GROUPon são projetados para o amplificador de uso geral e aplicações de comutação low−speed.
• Ganho atual alto de C.C. — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 CAD
• Tensão de sustentação do Coletor-emissor — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidade atual polarizada da segunda divisão IS/b = 1,5 CAD @ 25 VDC
• Construção monolítica com os resistores incorporados do emissor de base à multiplicação de LimitELeakage
• Pacote plástico alto da relação TO-225AA do Desempenho-à-custo da Espaço-economia
Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VDC |
Tensão 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VDC |
Tensão de Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VDC |
Corrente de coletor Contínuo Pico |
IC |
4,0 8,0 |
CAD Apk |
Corrente baixa | IB | 100 | mAdc |
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C |
Paládio |
40 320 |
W mW/°C |
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C |
Paládio |
1,5 12 |
W mW/°C |
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento | TJ, Tstg | – 65 a +150 | °C |
Característica | Símbolo | Máximo | Unidade |
Resistência térmica, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
Resistência térmica, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.
Característica | Símbolo | Minuto | Máximo | Unidade |
FORA DAS CARACTERÍSTICAS | ||||
Tensão de sustentação de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VDC |
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
A |
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
A |
Corrente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
Corrente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
EM CARACTERÍSTICAS | ||||
Ganho atual de C.C. (IC = 0,5 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
Tensão de saturação de Collector−Emitter (IC = 2,0 CAD, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) |
VCE (se sentou) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VDC |
Tensão de saturação de Base−Emitter (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) |
VBE (se sentou) | -- | 4,0 | VDC |
Base−Emitter na tensão (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) |
VBE (sobre) | -- | 2,8 | VDC |
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CAD, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megahertz) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
Capacidade de saída (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Espiga |
-- -- |
200 100 |
PF |
Os *Indicates JEDEC registraram dados.

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