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Mosfet audio planar Epitaxial 2SB1560 do poder do silicone PNP,

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Mosfet audio planar Epitaxial 2SB1560 do poder do silicone PNP,

DarliCM GROUPon 2SB1560

Transistor planar Epitaxial do silicone PNP (complemento para datilografar 2SD2390)


FIXAR

PIN DESCRIÇÃO
1 Base
2 Coletor; conectado a montando a base
3 Emissor









Avaliações máximas absolutas (Ta=℃)

SÍMBOLO PARÂMETRO CIRCUNSTÂNCIAS VALOR UNIDADE
VCBO tensão da Coletor-base Emissor aberto -160 V
VCEO tensão do Coletor-emissor Base aberta -150 V
VEBO tensão da Emissor-base Coletor aberto -5 V
IC Corrente de coletor -10
IB Corrente baixa 1
PC Dissipação de poder do coletor TC =25℃ 100 W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150


CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ (salvo disposição em contrário)

SÍMBOLO PARÂMETRO CIRCUNSTÂNCIAS MINUTO TIPO. Max UNIDADE
CEO DE V (BR) tensão de divisão do Coletor-emissor IC =-30mA; IB =0 -150 V
VCEsat tensão de saturação do Coletor-emissor IC =-7A; IB =-7mA -2,5 V
VBEsat Tensão de saturação do emissor de base IC =-7A; IB =-7mA -3,0 V
ICBO Corrente de interrupção de coletor VCB =-160V; IE =0 -100 μA
IEBO Corrente da interrupção do emissor VEB =-5V; IC =0 -100 μA
hFE Ganho atual de C.C. IC =-7A; VCE =-4V 5000
Espiga Capacidade de saída IE =0; VCB =10V; f=1MHz 230 PF
fT Frequência da transição IC =-2A; VCE =-12V 50 Megahertz
Épocas de comutação
tonelada Tempo de ligação

IC =-7A; RL =10Ω
IB1 = - IB2 =-7MA
VCC =-70V

0,8 μs
ts Tempo de armazenamento 3,0 μs
tf Tempo de queda 1,2 μs

classificações do hFE do ‹

O P Y
5000-12000 6500-20000 15000-30000



ESBOÇO DO PACOTE







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