Mosfet audio planar Epitaxial 2SB1560 do poder do silicone PNP,
Especificações
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Destaque:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introdução
Mosfet audio planar Epitaxial 2SB1560 do poder do silicone PNP,
DarliCM GROUPon 2SB1560
Transistor planar Epitaxial do silicone PNP (complemento para datilografar 2SD2390)
PIN | DESCRIÇÃO |
1 | Base |
2 | Coletor; conectado a montando a base |
3 | Emissor |
SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | VALOR | UNIDADE |
VCBO | tensão da Coletor-base | Emissor aberto | -160 | V |
VCEO | tensão do Coletor-emissor | Base aberta | -150 | V |
VEBO | tensão da Emissor-base | Coletor aberto | -5 | V |
IC | Corrente de coletor | -10 | ||
IB | Corrente baixa | 1 | ||
PC | Dissipação de poder do coletor | TC =25℃ | 100 | W |
Tj | Temperatura de junção | 150 | ℃ | |
Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~150 | ℃ |
SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDADE |
CEO DE V (BR) | tensão de divisão do Coletor-emissor | IC =-30mA; IB =0 | -150 | V | ||
VCEsat | tensão de saturação do Coletor-emissor | IC =-7A; IB =-7mA | -2,5 | V | ||
VBEsat | Tensão de saturação do emissor de base | IC =-7A; IB =-7mA | -3,0 | V | ||
ICBO | Corrente de interrupção de coletor | VCB =-160V; IE =0 | -100 | μA | ||
IEBO | Corrente da interrupção do emissor | VEB =-5V; IC =0 | -100 | μA | ||
hFE | Ganho atual de C.C. | IC =-7A; VCE =-4V | 5000 | |||
Espiga | Capacidade de saída | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 230 | PF | ||
fT | Frequência da transição | IC =-2A; VCE =-12V | 50 | Megahertz | ||
Épocas de comutação | ||||||
tonelada | Tempo de ligação |
IC =-7A; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
ts | Tempo de armazenamento | 3,0 | μs | |||
tf | Tempo de queda | 1,2 | μs |
O | P | Y |
5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
ESBOÇO DO PACOTE
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