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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > N - O CANAL Zener protegeu o transistor⑩ STP10NK80ZFP do Mosfet do poder de SuperMESH

N - O CANAL Zener protegeu o transistor⑩ STP10NK80ZFP do Mosfet do poder de SuperMESH

N - O CANAL Zener protegeu o transistor⑩ STP10NK80ZFP do Mosfet do poder de SuperMESH
N - O CANAL Zener protegeu o transistor⑩ STP10NK80ZFP do Mosfet do poder de SuperMESH
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
800 V
Drain-gate Voltage:
800 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150°C
Storage Temperature:
-55 to 150°C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução


STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z

O N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegeu o MOSFET de SuperMESH™Power

TIPOVDSSRDS (sobre)IdentificaçãoPicowatt

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W


■RDS TÍPICO (sobre) = 0,78 Ω
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO

DESCRIÇÃO
A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.

APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■FONTES DE ALIMENTAÇÃO DO MODO DO INTERRUPTOR
■CONVERSORES DE DC-AC PARA A SOLDADURA, O UPS E A MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

SímboloParâmetroValorUnidade
STP10NK80ZSTP10NK80ZFPSTW10NK80Z
VDStensão da Dreno-fonte (VGS = 0)800V
VDGRtensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20)800V
VGSTensão de fonte de porta± 30V
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 25°C99 (*)9
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 100°C66 (*)6
IDM (•?)Corrente do dreno (pulsada)3636 (*)36
PTOTDissipação total em TC = 25°C16040160W
Derating o fator1,280,321,28W/°C
VESD (G-S)Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)4Quilovolt
dv/dt (1)Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo4,5V/ns
VISOA isolação suporta a tensão (a C.C.)-2500-V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

-55 a 150

-55 a 150

°C

(? •) Largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
LB12406500EM14+DIP18
A4982SLPTR-T6500ALLEGRO15+TSSOP-24
ADS1110A0IDBVR6494SI15+SOT23-6
AD8655ARZ6490ANÚNCIO15+SOP-8
MAX3072EESA+6489MÁXIMA13+CONCESSÃO
ATMEGA32-16AU6489ATMEL15+QFP44
MAX3100CEE+6481MÁXIMA14+SSOP
MAX4714EXT6480MÁXIMA15+ÉBRIO
AD8676ARZ6476ANÚNCIO15+SOP-8
LA79116475SANYO15+DIP-16
ADP1710AUJZ-R76462ANÚNCIO14+SOT23
LA36006450SANYO10+DIP-16
L6221C6425ST13+DIP-16
MAX8211ESA+6419MÁXIMA13+CONCESSÃO
PIC10F222T-I/OT6409MICROCHIP14+ÉBRIO
LT3572EUF#PBF6408LINEAR14+QFN
L293B6400ST12+DIP16
MAX3077EESA6390MÁXIMA12+CONCESSÃO
MBI5039GP6387MBI15+SSOP
MPC801KG6375BB14+MERGULHO
PIC16F1828-I/SS6374MICROCHIP15+SSOP



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