N - O CANAL Zener protegeu o transistor⑩ STP10NK80ZFP do Mosfet do poder de SuperMESH
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
O N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegeu o MOSFET de SuperMESH™Power
TIPO | VDSS | RDS (sobre) | Identificação | Picowatt |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z | 800 V 800 V 800 V | < 0=""> < 0=""> < 0=""> | 9 A 9 A 9 A | 160 W 40 W 160 W |
■RDS TÍPICO (sobre) = 0,78 Ω
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO
DESCRIÇÃO
A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.
APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■FONTES DE ALIMENTAÇÃO DO MODO DO INTERRUPTOR
■CONVERSORES DE DC-AC PARA A SOLDADURA, O UPS E A MOVIMENTAÇÃO DO MOTOR
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | ||
STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
VDS | tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) | 800 | V | ||
VDGR | tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
VGS | Tensão de fonte de porta | ± 30 | V | ||
Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 25°C | 9 | 9 (*) | 9 | |
Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 100°C | 6 | 6 (*) | 6 | |
IDM (•?) | Corrente do dreno (pulsada) | 36 | 36 (*) | 36 | |
PTOT | Dissipação total em TC = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
Derating o fator | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
VESD (G-S) | Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 4 | Quilovolt | ||
dv/dt (1) | Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo | 4,5 | V/ns | ||
VISO | A isolação suporta a tensão (a C.C.) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de junção de funcionamento Temperatura de armazenamento | -55 a 150 -55 a 150 | °C |
(? •) Largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
LB1240 | 6500 | EM | 14+ | DIP18 |
A4982SLPTR-T | 6500 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP-24 |
ADS1110A0IDBVR | 6494 | SI | 15+ | SOT23-6 |
AD8655ARZ | 6490 | ANÚNCIO | 15+ | SOP-8 |
MAX3072EESA+ | 6489 | MÁXIMA | 13+ | CONCESSÃO |
ATMEGA32-16AU | 6489 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
MAX3100CEE+ | 6481 | MÁXIMA | 14+ | SSOP |
MAX4714EXT | 6480 | MÁXIMA | 15+ | ÉBRIO |
AD8676ARZ | 6476 | ANÚNCIO | 15+ | SOP-8 |
LA7911 | 6475 | SANYO | 15+ | DIP-16 |
ADP1710AUJZ-R7 | 6462 | ANÚNCIO | 14+ | SOT23 |
LA3600 | 6450 | SANYO | 10+ | DIP-16 |
L6221C | 6425 | ST | 13+ | DIP-16 |
MAX8211ESA+ | 6419 | MÁXIMA | 13+ | CONCESSÃO |
PIC10F222T-I/OT | 6409 | MICROCHIP | 14+ | ÉBRIO |
LT3572EUF#PBF | 6408 | LINEAR | 14+ | QFN |
L293B | 6400 | ST | 12+ | DIP16 |
MAX3077EESA | 6390 | MÁXIMA | 12+ | CONCESSÃO |
MBI5039GP | 6387 | MBI | 15+ | SSOP |
MPC801KG | 6375 | BB | 14+ | MERGULHO |
PIC16F1828-I/SS | 6374 | MICROCHIP | 15+ | SSOP |