St de comutação dos reguladores de tensão 4.5-17Vin de IC da gestão do trajeto do poder de TPS54620RGYR 6A Synch abaixo de SWIFT Cnvtr

microchip battery management
,power management integrated circuit
St de comutação dos reguladores de tensão 4.5-17Vin de IC da gestão do trajeto do poder de TPS54620RGYR 6A Synch abaixo de SWIFT Cnvtr
Características 1
- Integrado 26 mΩ e 19 MOSFETs de mΩ
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Trilho rachado do poder: 1,6 V a 17 V em PVIN
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200-kHz à frequência 1.6-MHz de comutação
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Sincronizars ao pulso de disparo externo
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0,8 temperaturas excessivas da referência da tensão de V ±1%
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Corrente quieta da baixa parada programada de 2 μA
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Partida monótona em saídas de Prebiased
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– 40°C à variação da temperatura de funcionamento da junção 150°C
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Começo e arranjar em sequência de poder lentos ajustáveis
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Monitor da saída do poder bom para o Undervoltage e a sobretensão
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Fechamento entrado ajustável do Undervoltage
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Para a documentação de SWIFTTM, visita
http://www.ti.com/swift
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Crie projetam usando o TPS54620 com o desenhista do poder de WEBENCH
2 aplicações
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O alto densidade distribuiu sistemas de energia
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Ponto do elevado desempenho do regulamento da carga
Descrição 3
O TPS54620 3,50 no pacote termicamente aumentado do milímetro QFN do × 3,50 do milímetro é um 17-V caracterizado completo, 6-A, o conversor síncrono, abaixador que é aperfeiçoado para projetos pequenos com a eficiência elevada e da integração do alto-lado e dos MOSFETs do baixo-lado. Umas economias de espaço mais adicionais são conseguidas com o controle atual do modo, que reduz a contagem componente, e selecionando uma frequência de comutação alta, reduzindo a pegada do indutor.
A rampa da partida da tensão da saída é controlada pelo pino de SS/TR que permite a operação como uma fonte de alimentação autônoma ou em situações de seguimento. Arranjar em sequência de poder é igualmente possível corretamente configurar permitir e pinos do poder do aberto-dreno pelos bons.
a limitação atual do Ciclo-por-ciclo no FET do alto-lado protege o dispositivo em situações da sobrecarga e é aumentada por um limite atual da fonte do baixo-lado que impeça o fugitivo atual. Há igualmente um baixo-lado que afunda o limite atual que gerencie fora do MOSFET do baixo-lado para impedir a corrente reversa excessiva. A parada programada térmica desabilita a peça quando morre a temperatura excede a temperatura térmica da parada programada.