Saída de Sgl dos reguladores de tensão de IC LDO da gestão do trajeto do poder de TPS73501DRBR, 500mA, ajuste, Lo Quies Crnt, ruído de Lo
power management integrated circuit
,microchip battery management
Saída de Sgl dos reguladores de tensão de IC LDO da gestão do trajeto do poder de TPS73501DRBR, 500mA, ajuste, Lo Quies Crnt, ruído de Lo
Características 1
- Tensão entrada: 2,7 V a 6,5 V
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regulador da Baixo-saída 500-mA com EN
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Baixo Q.I.: μA 45
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Versões múltiplas da tensão da saída disponíveis:
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– Saídas fixas de 1,2 V a 4,3 V
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– Saídas ajustáveis de 1,25 V a 6 V
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PSRR alto: DB 68 em 1 quilohertz
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De baixo nível de ruído: μVRMS 13,2
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Tempo de partida rápido: 45 μs
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Estábulo com um cerâmico, 2,2 μF, capacitor da saída Baixo-ESR
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Carga e linha excelentes resposta transiente
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Precisão total de 2% (carga, linha, e temperatura, VOUT > 2,2 V)
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Baixa saída mesma: 280 milivolt em 500 miliampères
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2-milímetro do × 2 milímetro WSON-6 e 3 milímetros de × pacotes de 3 milímetros SON-8
2 aplicações
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Filtração da ondinha do conversor do cargo DC-DC
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Câmeras de rede do IP
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Estações base macro
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Termostatos
Descrição 3
A baixo-saída TPS735 (LDO), regulador linear da baixa potência oferece o desempenho excelente da C.A. com corrente à terra muito baixa. A relação de rejeção alta da poder-fonte (PSRR), a partida de baixo nível de ruído, rápida, e as respostas transientes excelentes da linha e da carga são fornecidas ao consumir uma corrente (típica) muito baixa da terra de 45 μA.
O dispositivo TPS735 é estável com capacitores cerâmicos e usa um processo avançado da fabricação de BiCMOS para render uma tensão típica da saída de 280 milivolt em 500 - saída do miliampère. O dispositivo TPS735 usa um laço de referência e de feedback de tensão de precisão para conseguir uma precisão total de 2% (VOUT > 2,2 V) sobre toda a carga, linha, processo, e variações da temperatura. Este dispositivo é especificado inteiramente de TJ = – 40°C a +125°C e oferecido em um perfil baixo, 3 pacote do milímetro SON-8 do × 3 do milímetro e 2 um pacote do milímetro WSON-6 do × 2 do milímetro.
Informação do dispositivo
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NÚMERO DA PEÇA |
PACOTE |
TAMANHO DE CORPO (NOM) |
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TPS735 |
WSON (6) |
2,00 milímetros de × 2,00 milímetros |
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FILHO (8) |
3,00 milímetros de × 3,00 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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