Proteção IC da gestão Li-Ion/Li Polymer Batt da bateria de IC da gestão do trajeto do poder de BQ29700DSET
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Proteção IC da gestão Li-Ion/Li Polymer Batt da bateria de IC da gestão do trajeto do poder de BQ29700DSET
Características 1
- Escala de tensão entrada Pack+: VSS – 0,3 V a 12 V • Movimentação do FET:
– Saída da movimentação do FET de CHG e de DSG
-
A tensão que detecta através dos FETs externos para a proteção da sobrecarga (OCP) está dentro de ±5 o milivolt (típico)
-
Detecção de falha
-
– Detecção da sobrecarga (OVP)
-
– Detecção da Sobre-descarga (UVP)
-
– Detecção da sobrecarga da carga (OCC)
-
– Detecção da sobrecarga da descarga (OCD)
-
– A carga procura um caminho mais curto a detecção (SCP)
-
-
Tensão zero que carrega para a bateria esgotada
-
Pontos iniciais programados fábrica da proteção da falha
-
– Critique pontos iniciais da tensão da detecção
-
– Temporizadores do disparador da falha
-
– Temporizadores da recuperação de falha
-
-
O modo de operação sem o carregador de bateria permitiu
-
– Modo NORMAL ICC = μA 4
-
– Parada programada Iq = nA 100
-
-
Variação da temperatura de funcionamento Ta = – 40°C a +85°C
2 aplicações
• PC da tabuleta
• Monofone móvel
• Terminais Handheld dos dados
Descrição 3
O dispositivo de proteção da pilha de bateria bq2970 fornece um ponto inicial exato do monitor e do disparador para a proteção da sobrecarga durante condições da sobrecarga da descarga alta/da operação atual ou bateria de carga.
O dispositivo bq2970 fornece as funções da proteção para pilhas de Li-Ion/Li-Polymer, e monitores através dos FETs da alimentação externa para a proteção devido às correntes altas da carga ou de descarga. Além, há uma sobrecarga e uma monitoração e uma proteção esgotadas da bateria. Estas características são executadas com baixo consumo atual na operação do modo NORMAL.
Informação do dispositivo
NÚMERO DA PEÇA |
PACOTE |
TAMANHO DE CORPO (NOM) |
bq2970, bq2971, bq2972, Bq 2973(2) |
WSON (6) |
1,50 milímetros de × 1,50 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
||
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
||
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
||
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
||
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
||
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
||
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
||
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
||
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|