Bujão de IC da gestão do trajeto do poder de LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF com limite atual. Auto-nova tentativa
microchip battery management
,battery charge management ic
Bujão de IC da gestão do trajeto do poder de LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF com limite atual. Auto-nova tentativa
Características
n suporta impulsos sobre 100V com VCC escala larga da tensão de funcionamento da braçadeira n: 4V a 80V
tensão ajustável da braçadeira da saída de n
limite rápido da sobrecarga de n: Menos do que 5μs
proteção entrada reverso de n – a 60V
pontos iniciais ajustáveis do comparador de n UV/OV
corrente da parada programada 7μA de n baixa
parada programada Pin Withstands de n – 60V a 100V
temporizador ajustável da falha de n
n controla o MOSFET do N-canal
n menos ciclo de dever da nova tentativa de 1% durante as falhas, LT4363-2
n disponível em 12-Pin (× 3mm) DFN de 4mm, em 12-Pin MSOP e em 16-Pin empacota ASSIM
Aplicações
proteção automotivo/Avionic/industrial de n do impulso
n SwapTM/quente Live Insertion
interruptor lateral alto de n para sistemas a pilhas
aplicações da segurança intrínseca de n
Descrição
O bujão do impulso LT®4363 protege cargas dos transeuntes de alta tensão. Regula a saída durante um evento da sobretensão, tal como a descarga da carga nos veículos, controlando a porta de um MOSFET externo do N-canal. A saída é limitada a um valor seguro permitindo que as cargas continuem a funcionar. O LT4363 igualmente monitora a queda de tensão entre os pinos de SNS e de SAÍDA para proteger contra falhas da sobrecarga. Um amplificador interno limita a tensão através do resistor atual do sentido a 50mV. Em uma ou outra condições de falha, um temporizador é inversamente proporcional começado ao esforço do MOSFET. Antes que o temporizador expire, o pino do FLT puxa baixo para advertir do impend o poder do ing para baixo. Se a circunstância persiste, o MOSFET está desligado. O LT4363-1 permanece fora até a restauração visto que os reinícios LT4363-2 após um período fresco da pena.
Dois comparadores da precisão podem monitorar a fonte da entrada para condições (UV) da sobretensão (OV) e do undervoltage. Quando o potencial está abaixo do ponto inicial UV, o MOSFET externo está evitado. Se a tensão de fonte da entrada está acima do ponto inicial do OV, o MOSFET não está permitido girar para trás sobre. Os MOSFETs lado a lado podem ser usados no lugar de um diodo de Schottky para a proteção reversa da entrada, reduzindo a queda de tensão e a perda de poder. Um pino da parada programada reduz a corrente quieta a menos do que 7μA durante a parada programada.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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