Regulador linear de baixo nível de ruído 6-WS da baixo-saída do baixo-Q.I. dos reguladores de tensão 500-mA de IC LDO do regulador do poder de LP5912-1.8DRVR (LDO)
digital voltage regulator ic
,electronic voltage regulator circuit
Regulador linear de baixo nível de ruído 6-WS da baixo-saída do baixo-Q.I. dos reguladores de tensão 500-mA de IC LDO do regulador do poder de LP5912-1.8DRVR (LDO)
Características 1
- Escala de tensão entrada: 1,6 V a 6,5 V
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Escala da tensão da saída: 0,8 V a 5,5 V
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Corrente de saída até 500 miliampères
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Baixo ruído da Saída-tensão: μVRMS 12 típico
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PSRR em 1 quilohertz: DB 75 típico
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Tolerância da tensão da saída (≥ de VOUT 3,3 V): ±2%
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Baixo Q.I. (permitiu, nenhuma carga): μA 30 típico
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Baixa saída (≥ de VOUT 3,3 V): 95 milivolt típicos na carga 500-mA
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Estábulo com o 1 capacitor cerâmico da entrada do μF e da saída
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Térmico-sobrecarga e para procurar um caminho mais curto a proteção
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Proteção atual reversa
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Nenhum capacitor de desvio do ruído exigiu
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Descarga automática da saída para o Turnoff rápido
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Poder-boa saída com atraso típico de 140 μs
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Macio-início interno para limitar a corrente da Em-precipitação
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– 40°C à variação da temperatura de funcionamento da junção de +125°C
2 aplicações
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Módulos da câmera
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Sensores
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Transceptores de rádio audio de alta fidelidade
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PLL/Synthesizer, cronometrando
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Aplicações Meio-atuais, Ruído-sensíveis
Descrição 3
O LP5912 é LDO de baixo nível de ruído que pode fornecer até 500 miliampères da corrente de saída. Projetou cumprir as exigências do RF e os circuitos análogos, o dispositivo LP5912 fornecem PSRR de baixo nível de ruído, alto, a baixa corrente quieta, e a baixa resposta transiente da linha e da carga. O LP5912 oferece desempenho classe-principal do ruído sem um capacitor de desvio do ruído e com a capacidade para a colocação remota da capacidade de saída.
O dispositivo é projetado trabalhar com uma 1 entrada do μF e um 1 capacitor cerâmico da saída do μF (nenhum capacitor de desvio separado do ruído exigido).
Este dispositivo está disponível com tensões fixas da saída de 0,8 V a 5,5 V nas etapas 25-mV. Contacte Texas Instruments Sales para necessidades específicas da opção da tensão.
Informação do dispositivo
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NÚMERO DA PEÇA |
PACOTE |
TAMANHO DE CORPO (NOM) |
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LP5912 |
WSON (6) |
2,00 milímetros de × 2,00 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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