Operação de rádio da faixa dos circuitos integrados de LMV225SD/NOPB LMV225URX/NOPB 5 V temperatura exata RF da multi
microwave integrated circuits
,radio frequency integrated circuit
Detector de Sgl Rf do detector do RF dos circuitos integrados de LMV225SD/NOPB LMV225URX/NOPB RF com LLP
CARACTERÍSTICAS 1
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A tensão da saída varia 0,2 a 2V
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Baixa parada programada da lógica
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Operação da Multi-faixa de 450 megahertz a 2000 megahertz
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Compensação de temperatura exata
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Pacotes:
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– DSBGAThin1.0mmx1.0mmx0.6mm
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– DSBGA ultra finamente 1,0 milímetros x 1,0 milímetros x 0,35 milímetros
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– WSON2.2mmx2.5mmx0.8mm
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2 APLICAÇÕES
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Controle de poder de CDMA RF
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Controle de poder de WCDMA RF
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Controle de poder de CDMA2000 RF
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Módulos do PA
DESCRIÇÃO 3
Os LMV225/LMV226/LMV228 são 30 detectores do poder do DB RF pretendidos para o uso em aplicações de CDMA e de WCDMA. O dispositivo tem uma escala de frequência do RF de 450 megahertz a 2 gigahertz. Fornece uma temperatura exata e fornece a tensão compensada da saída que se relaciona linearmente ao poder de entrada do RF no dBm. O circuito opera-se com uma única fonte de 2.7V a 5.5V. Os LMV225/LMV226/LMV228 têm um filtro integrado para a detecção do poder médio da baixo-ondinha de sinais de CDMA com alcance dinâmico do DB 30. A filtração adicional pode ser aplicada usando um único capacitor externo.
O LMV225 tem uma escala da detecção do poder do RF – do dBm 30 aos 0 dBm e é serido idealmente para o uso direto em combinação com torneiras resistive. Os LMV226/LMV228 têm uma escala da detecção – do dBm 15 ao dBm 15 e são pretendidos para o uso em combinação com um acoplador direcional. O LMV226 é equipado com uma saída protegida que faça apropriado para aplicações da G/M, da BORDA, do GPRS e do TDMA.
O dispositivo é ativo para Enable = o HI, se não reage de um modo da parada programada do consumo da baixa potência. Durante a parada programada a saída será BAIXA. A tensão da saída varia de 0.2V a 2V e pode ser reduzida proporcionalmente para cumprir exigências da escala da entrada do CAD.
Os detectores do poder LMV225/LMV226/LMV228 são oferecidos nos 1,0 milímetros finos x 1,0 milímetro x pacote de 0,6 milímetros DSBGA e os 1,0 milímetros ultra finos x 1,0 milímetro x pacote de 0,35 milímetros DSBGA. Os LMV225 e os LMV228 são oferecidos igualmente nos 2,2 milímetros x 2,5 milímetros x pacote de 0,8 milímetros WSON.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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