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Os ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 comutam o 8:1 550MHz do interruptor CI do Multiplexer de IC iCMOS de 120 ohms

fabricante:
Fabricante
Descrição:
1 8:1 200Ohm 16-TSSOP do interruptor de IC do circuito
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Tensão de fonte do funcionamento:
12 V
Fora do tempo - máximo:
83 ns
Na resistência - máxima:
120 ohms
Configuração:
1 8:1 de x
Número de canais:
Canal 8
Produto:
Multiplexadores
Destaque:

ethernet transceiver ic

,

fast ethernet switch chip

Introdução

Os ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 comutam o 8:1 550MHz do interruptor CI do Multiplexer de IC iCMOS de 120 ohms

CARACTERÍSTICAS

  • <1 pC="" charge="" injection="" over="" full="" signal="" range="" 1="" pF="" off="" capacitance="">
  • Escala da fonte de 33 V
  • 120 Ω na resistência
  • Especificado inteiramente em ±15 V/+12 V
  • 3 entradas compatíveis da lógica de V
  • operação do Trilho-à-trilho
  • Ruptura-antes-faça a ação de comutação
  • Disponível 16 em uma ligação TSSOP, 16 em uma ligação LFCSP, e na
  • 16-lead SOIC
  • Consumo de potência típico < 0="">

APLICAÇÕES

  • Sistemas de comunicação a pilhas de distribuição audio e video dos sistemas da Amostra-e-posse dos sistemas dos sistemas por aquisição de dados do equipamento de teste automático

DESCRIÇÃO GERAL

Os ADG1208 e os ADG1209 são multiplexers análogos monolíticos, do iCMOS do ® que compreendem oito monocanais e quatro canais do diferencial, respectivamente. O ADG1208 comuta uma de oito entradas a uma saída comum como determinada pelas 3 linhas binárias A0, A1, e A2 do endereço do bocado. O ADG1209 comuta uma de quatro entradas diferenciais a uma saída diferencial comum como determinado pelas 2 linhas binárias A0 e A1 do endereço do bocado. Uma entrada do EN em ambos os dispositivos para permitir ou desabilitar o dispositivo. Quando deficientes, todos os canais são desligados. Quando sobre, cada canal conduzir igualmente bem em ambos os sentidos e tiver uma escala do sinal de entrada que estenda às fontes.

O processo de manufatura modular industrial do CMOS (iCMOS) combina o semicondutor de metal-óxido complementar de alta tensão (CMOS) e tecnologias bipolares. Permite o desenvolvimento de uma vasta gama do elevado desempenho CI análogos capaz de uma operação de 33 V em uma pegada que nenhuma outra geração de dispositivos de alta tensão pôde conseguir. Ao contrário dos CI análogos usando processos convencionais do CMOS, os componentes do iCMOS podem tolerar tensões de fonte alta ao fornecer o desempenho aumentado, o consumo de uma potência dramaticamente mais baixa, e o tamanho reduzido do pacote.

A capacidade ultralow e a injeção excepcionalmente baixa da carga destes multiplexers fazem-lhes soluções ideais para as aplicações por aquisição de dados e da amostra-e-posse, onde o baixo pulso aleatório e o estabelecimento rápido são exigidos. Figura 2 mostra que há uma injeção mínima da carga sobre a escala inteira do sinal do dispositivo. a construção do iCMOS igualmente assegura a dissipação de poder ultralow, fazendo os dispositivos seridos idealmente para instrumentos portáteis e a pilhas.

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