Enviar mensagem
Casa > produtos > Microplaqueta de IC da memória Flash > Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 225mW do N-canal 60 V 115mA (Tc) (Ta) (TO-236)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Contact us
Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Tipo de produto:
MOSFET
Subcategoria:
MOSFETs
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
7,5 ohms
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
1 V
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introdução

N-canal do MOSFET 60V 115mA do transistor de poder do Mosfet 2N7002LT1G

Características

• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC−Q101 qualificou e PPAP capaz (2V7002L)

• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão de Drain−Source

VDSS

60

VDC

Tensão de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

VDC

Drene atual
O − contínuo (nota 1) o − TC = 25°C contínuo (nota 1) o − TC = 100°C pulsou (nota 2)

Identificação

IDENTIFICAÇÃO IDM

± 800 do ± 75 do ± 115

mAdc

Tensão de Gate−Source
− contínuo
− Non−repetitive (Senhora do ≤ 50 do tp)

VGS VGSM

± 40 do ± 20

VDC Vpk

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Característica

Símbolo

Máximo

Unidade

Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo (nota 3) Ta = 25°C
Derate acima de 25°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient

Paládio RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Dissipação total do dispositivo
(Nota 4) a carcaça da alumina, Ta = 25°C Derate acima de 25°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient

Paládio RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Temperatura da junção e de armazenamento

TJ, Tstg

− 55 +150

°C

PRODUTOS RELACIONADOS
Imagem parte # Descrição
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
Contact us