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Baixa configuração do transistor de poder única N-CH do Mosfet da resistência CSD13381F4 Pwr

fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Modo do canal:
Realce
Configuração:
Único
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Categoria de produto:
MOSFET
Fabricante:
Texas Instruments
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introdução

MOSFET do MOSFET 12V N-CH Pwr do transistor de poder do Mosfet CSD13381F4

Características 1

  • Baixa Em-resistência
  • Baixos Qg e Qgd

  • Baixa tensão do ponto inicial

  • Pegada Ultra-pequena (tamanho de 0402 casos)

    – 1.0mm×0.6mm

  • Ultra-baixo perfil

– 0,35 milímetros de altura

  • Diodo integrado da proteção do ESD

    • – >4 avaliado quilovolt HBM

    • – >2 avaliado quilovolt CDM

  • Ligação e halogênio livres

  • RoHS complacente

2 aplicações

  • Aperfeiçoado para aplicações do interruptor da carga

  • Aperfeiçoado para aplicações de comutação de uso geral

  • Aplicações da bateria da Único-pilha

  • Aplicações Handheld e móveis

Descrição 3

Este 140 mΩ, tecnologia do MOSFET de FemtoFETTM do N-canal de 12 V são projetados e aperfeiçoados minimizar a pegada em muitas aplicações handheld e móveis. Esta tecnologia é capaz de substituir MOSFETs pequenos padrão do sinal ao fornecer pelo menos uma redução a 60% no tamanho de pegada.

Sumário do produto

Ta = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDADE

VDS

Tensão da Dreno-à-fonte

12

V

Qg

Total da carga da porta (4,5 V)

1060

PC

Qgd

Porta-à-dreno da carga da porta

140

PC

RDS (sobre)

Em-resistência da Dreno-à-fonte

VGS = 1,8 V

310

VGS = 2,5 V

170

VGS = 4,5 V

140

VGS (th)

Tensão do ponto inicial

0,85

V

Informação pedindo

Dispositivo

Qty

Meios

Pacote

Navio

CSD13381F4

3000

carretel 7-Inch

Femto (0402) 1,0 milímetros x 0,6 milímetros de ligação de SMD menos

Fita e carretel

CSD13381F4T

250

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C salvo indicação em contrário

VALOR

UNIDADE

VDS

Tensão da Dreno-à-fonte

12

V

VGS

Tensão da Porta-à-fonte

8

V

Identificação

Corrente contínua do dreno, Ta = 25°C (1)

2,1

IDM

Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2)

7

IG

Corrente contínua da braçadeira da porta

35

miliampère

Corrente da braçadeira da porta pulsada (2)

350

Paládio

Dissipação de poder (1)

500

mW

Avaliação do ESD

Modelo do corpo humano (HBM)

4

quilovolt

Modelo carregado do dispositivo (CDM)

2

quilovolt

TJ, Tstg

Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento

– 55 a 150

°C

EAS

Energia da avalancha, único pulso identificação = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω

2,7

mJ

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