MOSFETs duplos do transistor de poder 30V do Mosfet do canal de CSD87312Q3E 2 N-CH NexFET Pwr
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs duplos do MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD87312Q3E
CARACTERÍSTICAS
- Ection de CommonSourceConn
- Ultr um L dreno do w para drenar a Em-resistência
- FILHO da economia do espaço pacote plástico de 3,3 x de 3.3mm
- Aperfeiçoado para a movimentação da porta 5V
- Baixa resistência térmica
- Avalancha avaliada
- Chapeamento terminal livre do Pb
- RoHS complacente
- APLICAÇÕES livres do halogênio
APLICAÇÕES
- Adaptor/USB entrou a proteção para o caderno
- PCes e tabuletas
SUMÁRIO DO PRODUTO
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Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
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VDS |
Drene à tensão da fonte |
30 |
V |
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Qg |
Total da carga da porta (4.5V) |
6,3 |
nC |
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Qgd |
Porta da carga da porta a drenar |
0,7 |
nC |
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RDD (sobre) |
Drene para drenar na resistência (Q1+Q2) |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
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VGS = 8V |
27 |
mΩ |
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VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,0 |
V |
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INFORMAÇÃO PEDINDO
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Dispositivo |
Pacote |
Meios
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Qty |
Navio |
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CSD87312Q3E |
FILHO pacote plástico de 3,3 x de 3.3mm |
13-no carretel do ch |
2500 |
Fita e carretel |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
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Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
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VDS |
Drene à tensão da fonte |
30 |
V |
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VGS |
Porta à tensão da fonte |
+10/-8 |
V |
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Identificação |
(1) corrente contínua do dreno, TC = 25°C |
27 |
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IDM |
Corrente pulsada do dreno (2) |
45 |
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Paládio |
Dissipação de poder |
2,5 |
W |
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TJ, TSTG |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
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EAS |
Energia da avalancha, única identificação =24A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
29 |
mJ |
DESCRIÇÃO
O CSD87312Q3E é 30V uma comum-fonte, dispositivo duplo do N-canal projetado para a proteção da entrada de adaptor/USB. Este FILHO dispositivo de 3,3 x de 3.3mm tem o baixo dreno para drenar a em-resistência que minimiza perdas e oferece a baixa contagem componente para aplicações forçadas espaço do carregamento de bateria da multi-pilha.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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