Circuitos do transistor do Mosfet da velocidade FDC3535 rápida, circuito de controlo do motor do Mosfet
fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,001270 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Configuração:
Único
Paládio - dissipação de poder:
1,6 W
Destaque:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introdução
MOSFET do MOSFET do transistor de poder do Mosfet FDC3535; -80V P-Chan PowerTrench
Características
- MaxrDS (sobre) =183mΩatVGS =-10V, identificação =-2.1A
- MaxrDS (sobre) =233mΩatVGS =-4.5V, identificação =-1.9A
- Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)
- Poder superior e capacidade de manipulação atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem
- Velocidade de comutação rápida
- 100% UIL testado
- RoHS complacente
Descrição geral
Este MOSFET do P-canal é produzido usando o processo avançado do ® da trincheira do poder do semicondutor de Fairchild que foi aperfeiçoado para o RDS (sobre), o desempenho e a aspereza de comutação.
Aplicações
- Interruptor da carga
- Retificador síncrono
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