Trincheira complacente do poder do canal do transistor de poder -30V do Mosfet de FDMC6679AZ RoHS P
fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,005832 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Configuração:
Único
Paládio - dissipação de poder:
41 W
Destaque:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introdução
Trincheira do poder do P-canal do MOSFET -30V do transistor de poder do Mosfet de FDMC6679AZ
Características
- MΩ 10 máximo do RDS (sobre) = em VGS = -10 V, identificação = -11,5 A
- Máximo r = mΩ 18 em V = -4,5 V, mim = -8,5 Um DS (em) GS D
- Nível da proteção de HBM ESD de 8 quilovolts típico (nota 3)
- Escala prolongada de VGSS (- 25 V) para aplicações da bateria
- Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)
- Poder superior e capacidade de manipulação atual
- A terminação é sem chumbo e RoHS complacente
Descrição geral
O FDMC6679AZ foi projetado minimizar perdas em aplicações do interruptor da carga. Os avanços em tecnologias do silicone e do pacote foram combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) e a proteção do ESD.
Aplicações
- Interruptor da carga no caderno e no servidor
- Gestão do poder do bloco da bateria do caderno
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