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Transistor de poder N-Ch do Mosfet de FDV301N Digitas no semicondutor 25 V 0,22 A contínuo

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 350mW do N-canal 25 V 220mA (Ta) (Ta)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,001093 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Fabricante:
No semicondutor
Categoria de produto:
MOSFET
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introdução

MOSFET N-Ch Digital do transistor de poder do Mosfet de FDV301N

Características

  • 25 V, 0,22 A contínuos, 0,5 picos de A. RDS (SOBRE) =5Ω@VGS=2.7V
  • RDS (SOBRE) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
  • Reservar de baixo nível mesma das exigências da movimentação da porta direta
  • operação nos circuitos 3V. VGS (th) < 1="">
  • Porta-fonte Zener para a aspereza do ESD. Modelo do corpo humano de >6kV
  • Substitua transistor digitais múltiplos de NPN com o um FET de DMOS.

Descrição geral

Este transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do N-canal é produzido usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo mesmo do alto densidade é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado. Este dispositivo foi projetado especialmente para aplicações da baixa tensão como uma substituição para transistor digitais. Desde que os resistores de polarização não são exigidos, este FET de um N-canal pode substituir diversos transistor digitais diferentes, com os valores diferentes do resistor diagonal.

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