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Carga rápida da porta da velocidade de interruptor do canal do transistor de poder N do Mosfet de FDPF045N10A 100V baixa

fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) através do furo TO-220F-3
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,080072 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 175 C
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
4,5 mOhms
Identificação - corrente contínua do dreno:
67 A
Destaque:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introdução

MOSFET de PowerTrench do N-canal do MOSFET 100V do transistor de poder do Mosfet de FDPF045N10A

Características

  • RDS (sobre) =3.7mΩ (tipo.) @VGS =10V, identificação =67A

  • Velocidade de comutação rápida

  • Baixa carga da porta, QG = 57 nC (tipo.)

  • Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)

  • Poder superior e capacidade de manipulação atual

  • RoHS complacente

Descrição

Este MOSFET do N-canal é produzido usando o processo avançado de PowerTrench® de Fairchild Semiconductor® que esteve costurado para minimizar a resistência do em-estado quando mantenha o desempenho de comutação superior do ing.

Aplicações

  • Correção síncrono para ATX/fonte de alimentação do servidor/telecomunicações

  • Movimentações e fontes de alimentação ininterrupta do motor

  • Micro inversor solar

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