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Circuito do interruptor do Mosfet do poder superior P de FDS6681Z, motorista Circuit do Mosfet do canal de P

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem 8-SOIC da superfície 2.5W do P-canal 30 V 20A (Ta) (Ta)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,004586 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Número de canais:
1 canal
Polaridade do transistor:
P-canal
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introdução

MOSFET de PowerTrench do P-canal do MOSFET 30V do transistor de poder do Mosfet de FDS6681Z

Características da descrição geral

Este MOSFET do P-canal é produzido usando o processo avançado do PowerTrench® do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado.

Este dispositivo é bem - serido para a gestão do poder e as aplicações de comutação da carga comuns nos laptop e em blocos portáteis da bateria.

Características
• Escala prolongada de VGSS (– 25V) para aplicações da bateria

• Nível da proteção de HBM ESD de 8kV típico (nota 3) • Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente

baixo RDS (SOBRE)
• Poder superior e capacidade de manipulação atual
• TerminationisLead-freeandRoHSCompliant

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