Configuração de alta tensão de NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612 única
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-223-4 da superfície 3W do N-canal 100 V 3.7A (Ta) (Ta)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,003951 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Configuração:
Único
Modo do canal:
Realce
Destaque:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introdução
MOSFET 100V NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612
Descrição geral
Este MOSFET do N-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM.
Estes MOSFETs caracterizam um interruptor mais rápido e uma mais baixa carga da porta do que outros MOSFETs com especificações comparáveis do RDS (SOBRE). O resultado é projetos da fonte de uma alimentação do MOSFET que é fácil e mais seguro de conduzir (mesmo em altas frequências mesmas), e do DC/DC com eficiência total mais alta.
Aplicações
• DC/DCconverter
• Motordriving
Características
- 3.7A, 100V. RDS (SOBRE) =120MΩ@VGS =10V RDS (SOBRE) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely baixo RDS (SOBRE)
- Poder superior e capacidade de manipulação atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem
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