Motorista Circuit do Mosfet do canal de FDMS6681Z P, transistor de interruptor PowerTrench do poder
fabricante:
Fabricante
Descrição:
P-canal 30 V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), (Tc) montagem 8-PQFN da superfície 73W (5x6)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Peso de unidade:
0,002402 onças
Tipo de produto:
MOSFET
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Paládio - dissipação de poder:
2,5 W
Empacotamento:
Corte a fita
Destaque:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introdução
P-canal PowerTrench do MOSFET -30V do transistor de poder do Mosfet de FDMS6681Z
Características
- MΩ 3,2 máximo do RDS (sobre) = em VGS = -10 V, identificação = -21,1 A
- MaxrDS (sobre) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identificação =-15.7A
-
Combinação avançada do pacote e do silicone para o baixo RDS (sobre)
-
Nível da proteção de HBM ESD de 8kV típico (nota 3)
-
Projeto de pacote MSL1 robusto
-
RoHS complacente
Descrição geral
O FDMS6681Z foi projetado minimizar perdas em aplicações do interruptor da carga. Os avanços em tecnologias do silicone e do pacote foram combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) e a proteção do ESD.
Aplicações
- Interruptor da carga no caderno e no servidor
- Gestão do poder do bloco da bateria do caderno
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