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CSD17578Q3A que monta o transistor de poder 30 V do Mosfet do estilo 8-VSONP

fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Modo do canal:
Realce
Configuração:
Único
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 150 C
Montando o estilo:
Montando o estilo
Tecnologia:
Si
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introdução

MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP do transistor de poder do Mosfet de CSD17578Q3A

Características 1

  • Baixos Qg e Qgd
  • Baixo RDS (sobre)

  • Baixa resistência térmica

  • Avalancha avaliada

  • Pb-livre

  • RoHS complacente

  • Halogênio livre

  • FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros

2 aplicações

  • Ponto--carga Buck Converter síncrono para aplicações nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação

  • Aperfeiçoado para aplicações do FET do controle

Descrição 3

Este 30 V, 6,3 mΩ, FILHO MOSFET de um poder de 3,3 milímetros NexFETTM do × 3,3 do milímetro são projetados minimizar perdas em aplicações da conversão de poder.

Sumário do produto

Ta = 25°C VALOR TÍPICO UNIDADE
VDS Tensão da Dreno-à-fonte 30 V
Qg Total da carga da porta (4,5 V) 7,9 nC
Qgd Porta da carga da porta a drenar 1,7 nC
RDS (sobre) Em-resistência da Dreno-à-fonte VGS = 4,5 V 8,2
VGS =10V 6,3
VGS (th) Tensão do ponto inicial 1,5 V


Informação pedindo

DISPOSITIVO

MEIOS

QTY

PACOTE

NAVIO

CSD17578Q3A

carretel 13-Inch

2500

FILHO pacote plástico de 3,3 x 3,3 milímetros

Fita e carretel

CSD17578Q3AT

carretel 7-Inch

250

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C

VALOR

UNIDADE

VDS

Tensão da Dreno-à-fonte

30

V

VGS

Tensão da Porta-à-fonte

±20

V

Identificação

Corrente contínua do dreno (pacote limitado)

20

Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C

54

Corrente contínua do dreno (1)

14

IDM

Corrente pulsada do dreno (2)

142

Paládio

Dissipação de poder (1)

2,5

W

Dissipação de poder, TC = 25°C

37

TJ, Tstg

Temperatura de junção de funcionamento, temperatura de armazenamento

– 55 a 150

°C

EAS

Energia da avalancha, única identificação =22A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω

24

mJ

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