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Diodos 11V 500mW de Zener do transistor de poder do Mosfet de MMSZ5241BT1G

fabricante:
Fabricante
Descrição:
DIODO ZENER 11V 500MW SOD123
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Fabricante Kit:
No semicondutor
Montando o estilo:
SMD/SMT
Pacote/caso:
SOD-123-2
Paládio - dissipação de poder:
500 mW
Tolerância da tensão:
5%
Corrente de Zener:
2 A
Destaque:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introdução

Diodos 11V 500mW de Zener do transistor de poder do Mosfet de MMSZ5241BT1G

Características

• uma avaliação de 500 mW na placa FR−4 ou FR−5
• − largo 2,4 V a 110 V da escala da tensão reversa de Zener @ térmicos

Equilibrium*
• Pacote projetado para o conjunto automatizado ótimo da placa
• Tamanho do pacote pequeno para aplicações do alto densidade
• Corrente de uso geral, média
• Avaliação do ESD da classe 3 (> 16 quilovolts) pelo modelo do corpo humano
• Prefixo da SZ para exigência automotivo e outra das aplicações original

Local e exigências da mudança de controle; AEC−Q101 qualificou e

PPAP capaz
• Estes são Pb−Free Devices*

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação

Símbolo

Máximo

Unidades

Dissipação de poder total na placa FR−5, (nota 1) @ TL = 75°C
Derated acima de 75°C

Paládio

500 6,7

mW mW/°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient (nota 2)

RqJA

340

°C/W

Resistência térmica, Junction−to−Lead (nota 2)

RqJL

150

°C/W

Variação da temperatura da junção e do armazenamento

TJ, Tstg

−55 a +150

°C

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