Retificadores 200V 1A do transistor de poder do Mosfet de MURS120T3G Ultrafast
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Retificadores 200V 1A do transistor de poder do Mosfet de MURS120T3G Ultrafast
Características
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Pacote montável de superfície compacto pequeno com ligações de J−Bend
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Pacote retangular para a manipulação automatizada
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Junção Passivated de vidro de alta temperatura
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Baixo V dianteiro @ 1,0 máximos A da queda de tensão (0,71 a 1,05, TJ = 150°C)
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Prefixos NRVUS e SURS8 para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC−Q101 qualificou e PPAP capaz
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Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente
Características mecânicas:
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Caso: Cola Epoxy, moldada
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Peso: magnésio 95 (aproximadamente)
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Revestimento: Todas as superfícies externos resistentes à corrosão e as ligações terminais são prontamente Solderable
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Temperatura de superfície da ligação e de montagem para finalidades de solda: máximo 260°C por 10 segundos
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Polaridade: A faixa da polaridade indica a ligação do cátodo
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Avaliação do ESD:
* HumanBodyModel=3B (>8kV) * MachineModel=C (>400V)
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AVALIAÇÕES MÁXIMAS
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Avaliação |
Símbolo |
MURS/SURS8/NRVUS |
Unidade |
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105T3 |
110T3 |
115T3 |
120T3 |
140T3 |
160T3 |
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Tensão reversa repetitiva máxima que trabalha a tensão de obstrução máxima da C.C. da tensão reversa |
VRRM VRWM VR |
50 |
100 |
150 |
200 |
400 |
600 |
V |
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Corrente dianteira retificada média |
SE (AVOIRDUPOIS) |
1,0 @ TL = 155°C 2,0 @ TL = 145°C |
1,0 @ TL = 150°C 2,0 @ TL = 125°C |
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Corrente de impulso do pico de Non−Repetitive, (impulso aplicado na semionda das condições de carga avaliado, na fase monofásica, 60 hertz) |
IFSM |
40 |
35 |
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Temperatura de junção de funcionamento |
TJ |
*65 a +175 |
°C |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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