MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM do transistor de poder do Mosfet de NTMFS4833NT1G
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM do transistor de poder do Mosfet de NTMFS4833NT1G
Características
• Baixo RDS (sobre) para minimizar perdas da condução
• Baixa capacidade para minimizar o motorista Losses
• Carga aperfeiçoada da porta para minimizar perdas de comutação
• Estes são dispositivos de Pb−Free
Aplicações
• Refira a nota de aplicação AND8195/D
• Entrega de poder do processador central
• Conversores de DC−DC
• Baixo interruptor lateral
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25°C salvo indicação em contrário)
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Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
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Tensão de Drain−to−Source |
VDSS |
30 |
V |
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Tensão de Gate−to−Source |
VGS |
±20 |
V |
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Dreno contínuo RqJA atual (nota 1) |
De estado estacionário |
Ta = 25°C |
Identificação |
28 |
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Ta = 85°C |
20,5 |
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Dissipação de poder RqJA (nota 1) |
Ta = 25°C |
Paládio |
2,7 |
W |
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Dreno contínuo RqJA atual (nota 2) |
Ta = 25°C |
Identificação |
16 |
|
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Ta = 85°C |
12 |
||||
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Dissipação de poder RqJA (nota 2) |
Ta = 25°C |
Paládio |
1,1 |
W |
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Dreno contínuo RqJC atual (nota 1) |
TC = 25°C |
Identificação |
191 |
|
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TC = 85°C |
138 |
||||
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Dissipação de poder RqJC (nota 1) |
TC = 25°C |
Paládio |
113,6 |
W |
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Corrente pulsada do dreno |
Ta = 25°C, tp =10ms |
IDM |
288 |
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Temperatura de funcionamento da junção e de armazenamento |
TJ, TSTG |
−55 a +150 |
°C |
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Corrente de fonte (diodo do corpo) |
É |
104 |
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Dreno à fonte dV/dt |
dV/dt |
6 |
V/ns |
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Única energia da avalancha de Drain−to−Source do pulso (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 mH, RG = 25 W) |
EAS |
612,5 |
mJ |
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Temperatura da ligação para as finalidades de solda (1/8 de ′ do ′ do argumento para 10 s) |
TL |
260 |
°C |
||
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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