MOSFET N-Ch do transistor de poder do Mosfet STP55NF06 60 volts 55 ampères
fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
18 mOhms
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2 V
Vgs - tensão da Porta-fonte:
10 V
Qg - carga da porta:
44,5 nC
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 175 C
Destaque:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introdução
MOSFET N-Ch do transistor de poder do Mosfet STP55NF06 60 volts 55 ampères
Características
| Código de ordem | VDSS | Máximo do RDS (sobre). | Identificação |
| STB55NF06 | 60 V | < 0=""> | 50 A |
| STP55NF06 | |||
| STP55NF06FP |
1. Refira o soa para o valor atual permissível máximo no FP-tipo devido ao valor de Rth
- a avalancha 100% testou
- Capacidade excepcional de dv/dt
Aplicações
- Aplicação de comutação
Descrição
Estes MOSFETs do poder foram desenvolvidos usando o processo original do STripFET de STMicroelectronics, que é projetado especificamente minimizar a capacidade da entrada e a carga da porta. Isto torna os dispositivos apropriadas para o uso como o interruptor preliminar em conversores isolados de grande eficacia avançados da C.C. da C.C. para telecomunicações e aplicações informáticas, e aplicações com a baixa carga da porta que conduz exigências.
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