Diodos de Schottky do transistor de poder do Mosfet de SS26T3G & retificadores 2A 60V
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Diodos de Schottky do transistor de poder do Mosfet de SS26T3G & retificadores 2A 60V
Características
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O pacote compacto com J−Bend conduz o ideal para a manipulação automatizada
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Óxido altamente estável junção Passivated
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Guardring para a proteção da sobretensão
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Baixa queda de tensão dianteira
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Prefixo de NRVB para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC−Q101 qualificado e PPAP Capable*
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O pacote de Pb−Free está disponível
Características mecânicas:
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Caso: Cola Epoxy moldada
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A cola Epoxy encontra UL 94, V−O em 0,125 dentro
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Peso: magnésio 95 (aproximadamente)
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Faixa da polaridade do cátodo
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Temperatura de superfície da ligação e de montagem para finalidades de solda:
máximo 260°C por 10 segundos
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Disponível na fita de 12 milímetros, 2500 unidades pelo carretel do ′ de 13 ′, adicione o sufixo “T3”
à número da peça
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Revestimento: Todas as superfícies externos resistentes à corrosão e terminais
As ligações são prontamente Solderable
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Avaliações do ESD: Modelo do corpo humano = 3B
Modelo de máquina = C
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Marcação: SS26
INFORMAÇÃO PEDINDO
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Dispositivo |
Pacote |
† Do envio |
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SS26T3G |
SMB (Pb−Free) |
2500 / Fita & carretel |
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NRVBSS26T3G* |
SMB (Pb−Free) |
2500 / Fita & Ree |