Transistor de poder 110 A do Mosfet STP110N8F6, MOSFET do poder de STripFET F6 em um pacote TO-220
fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Paládio - dissipação de poder:
200 W
Temperatura de funcionamento máximo:
+ 175 C
Temperatura de funcionamento mínima:
- 55 C
Qg - carga da porta:
150 nC
Vgs - tensão da Porta-fonte:
10 V
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2,5 V
Destaque:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introdução
Transistor de poder 110 A do Mosfet STP110N8F6, MOSFET do poder de STripFET F6 em um pacote TO-220
Características
|
Código de ordem |
VDS |
RDS (sobre) máximo |
Identificação |
PTOT |
|
STP110N8F6 |
80 V |
0,0065 Ω |
110 A |
200 W |
-
Em-resistência muito baixa
-
Baixa carga mesma da porta
-
Aspereza alta da avalancha
-
Baixa perda de poder da movimentação da porta
Aplicações
• Aplicações de comutação
Descrição
Este dispositivo é um MOSFET do poder do N-canal tornou-se usando a tecnologia de STripFETTM F6 com uma estrutura nova da porta da trincheira. O MOSFET resultante do poder exibe o RDS muito baixo (sobre) em todos os pacotes.
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